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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW (第二種研究会) |
2017-06-14 - 2017-06-16 |
海外 | KMUTT（タイ・バンコク） | ［ショートペーパー］RF Characteristics of SOTB Devices for GHz Frequency Applications ○Van-Trung Nguyen・Koichiro Ishibashi（UEC） |
The paper presents RF characteristics of the 65nm SOTB CMOS ... [more] | |
| SR | 2017-01-20 10:15 |
愛媛 | ひめぎんホール | 同期通信MACプロトコルによるセンサノードの低電力化の検討 ○石垣翔平・石橋孝一郎（電通大）  SR2016-86 |
[more] | SR2016-86 pp.45-52 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-02 16:45 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | SOTB MOSFETを用いた低電力マイクロコントローラの動的基板バイアス制御機構の実装と予備評価 ○奥原 颯（慶大）・小出知明（電通大）・Johannes maximilian kuehn・Akram Ben Ahmed（慶大）・石橋孝一郎（電通大）・天野英晴（慶大） CPSY2015-71 |
[more] | CPSY2015-71 pp.57-62 |
| SDM | 2014-10-17 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2014-94 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2014-94 pp.61-68 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 09:00 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology ○Koichiro Ishibashi（UEC）・Nobuyuki Sugii（LEAP）・Kimiyoshi Usami（SIT）・Hideharu Amano（KU）・Kazutoshi Kobayashi（KIT）・Cong-Kha Pham（UEC）・Hideki Makiyama・Yoshiki Yamamoto・Hirofumi Shinohara・Toshiaki Iwamatsu・Yasuo Yamaguchi・Hidekazu Oda・Takumi Hasegawa・Shinobu Okanishi・Hiroshi Yanagita（LEAP） SDM2014-62 ICD2014-31 |
[more] | SDM2014-62 ICD2014-31 pp.1-4 |
| SDM | 2014-01-29 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 ○槇山秀樹・山本芳樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大）・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合） SDM2013-143 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] | SDM2013-143 pp.35-38 |
| MW (ワークショップ) |
2013-12-02 - 2013-12-04 |
海外 | KMUTNB, Thailand | An ultra-low power LNA design using SOTB CMOS devices ○Hoang Minh Thien・Koichiro Ishibashi（UEC） |
The paper presents a 920MHz Ultra-low power low noise amplif... [more] | |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 13:10 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ ○小野内雅文・大津賀一雄・五十嵐康人・池谷豊人・森田貞幸（ルネサス エレクトロニクス）・石橋孝一郎（電通大）・柳沢一正（ルネサス エレクトロニクス） SDM2012-82 ICD2012-50 |
薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータを試作した。試作LDOでは印加電圧緩和... [more] | SDM2012-82 ICD2012-50 pp.105-110 |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2012-01-19 11:40 |
東京 | 電通大 | ［招待講演］スケーリング則から見た低電力技術とその方向 ○石橋孝一郎（電通大） ICD2011-136 |
ムーアの法則によるLSIの高集積化は．スケーリング則による高速化、低電力化の恩恵も享受しながら、新しいアプリケーションを... [more] | ICD2011-136 pp.21-22 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-22 09:50 |
広島 | 広島工業大学 | アクティブディキャップを用いた電源共振雑音低減手法 ○金 鎮明・名倉 徹（東大）・高田英裕・石橋孝一郎（ルネサス エレクトロニクス）・池田 誠・浅田邦博（東大） ICD2011-27 |
[more] | ICD2011-27 pp.69-72 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-26 09:10 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 複数IPコア回路におけるスリープブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法 ○金 鎮明・名倉 徹（東大）・高田英裕・石橋孝一郎（ルネサステクノロジ）・池田 誠・浅田邦博（東大） SDM2010-124 ICD2010-39 |
複数IP回路中にあるスリープブロックの寄生容量を用いた電源共振雑音低減手法を提案した．内部回路そのものが持っている寄生容... [more] | SDM2010-124 ICD2010-39 pp.1-4 |
| VLD, IPSJ-SLDM (連催) |
2010-05-20 13:05 |
福岡 | 北九州国際会議場 | 遅延予測技術を用いたDVFS制御向け広周波数・電源電圧レンジクロック同期回路 ○小野内雅文・菅野雄介・佐圓 真・小松成亘（日立）・安 義彦・石橋孝一郎（ルネサス エレクトロニクス） VLD2010-7 |
モジュール単位のDVFS制御を実施する際に，電源電圧変更中のモジュール間の同期を維持するクロック同期回路の試作・評価を行... [more] | VLD2010-7 pp.67-72 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-23 15:25 |
北海道 | 北見工業大学 | 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化 ○福岡一樹・小澤 治・森 涼・五十嵐康人・佐々木敏夫・倉石 孝・安 義彦・石橋孝一郎（ルネサステクノロジ） SDM2007-153 ICD2007-81 |
厚膜ゲート酸化膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術を提案する．本手法はPVT変動による突入電流，復帰時間のばらつ... [more] | SDM2007-153 ICD2007-81 pp.69-73 |
| ICD | 2007-04-13 09:40 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | ［招待講演］A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die ○Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Kazushi Kono（Renesas Technology）・Yuji Oda（Shikino High-Tech）・Susumu Imaoka（Renesas Design）・Keiichi Usui（Daioh Electric）・Toshiaki Yonezu・Takeshi Iwamoto・Koji Nii・Yasumasa Tsukamoto・Masashi Arakawa・Takahiro Uchida・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara（Renesas Technology） ICD2007-11 |
[more] | ICD2007-11 pp.59-64 |
| ICD, ITE-CE (共催) |
2006-12-15 11:15 |
広島 | (財）広島産業振興機構 広島県情報プラザ | PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 ～ ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計 ～ ○小澤 治・福岡一樹・五十嵐康人・倉石 孝・安 義彦・牧 幸生・一法師隆志・落合俊彦・白畑正芳・石橋孝一郎（ルネサステクノロジ） |
[more] | ICD2006-163 pp.115-119 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 12:05 |
北海道 | 北海道大学 | 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 ○今岡 進（ルネサスデザイン）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・増田康浩（ルネサスデザイン）・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・五十嵐元繁・冨田和朗・坪井信生・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] | SDM2006-148 ICD2006-102 pp.133-136 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 14:35 |
北海道 | 北海道大学 | 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路 ○薮内 誠・大林茂樹・新居浩二・塚本康正（ルネサステクノロジ）・今岡 進（ルネサスデザイン）・五十嵐元繁・竹内雅彦・川島 光・牧野博之・山口泰男・塚本和宏・犬石昌秀・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
[more] | SDM2006-151 ICD2006-105 pp.149-153 |
| ICD | 2006-04-14 13:50 |
大分 | 大分大学 | 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について ○塚本康正・新居浩二（ルネサステクノロジ）・今岡 進（ルネサスデザイン）・小田祐士（シキノハイテック）・大林茂樹・薮内 誠・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
[more] | ICD2006-18 pp.97-102 |
| SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM (共催) |
2005-10-21 09:20 |
宮城 | 作並温泉一の坊 | 電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果 ○小松義英・石橋孝一郎・塚田敏郎・山本雅晴（半導体理工学研究センター）・島崎健二・深澤光弥・永田 真（神戸大） |
[more] | SIP2005-116 ICD2005-135 IE2005-80 pp.7-12 |
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