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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大）  ED2012-135 SDM2012-164 |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] | ED2012-135 SDM2012-164 pp.39-42 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 16:05 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性 ○潘 ケツ・早野一起・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2011-147 SDM2011-164 |
[more] | ED2011-147 SDM2011-164 pp.31-34 |
| ED | 2011-07-30 13:55 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ○角田 梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2011-55 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上に１原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を... [more] | ED2011-55 pp.91-96 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:00 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 ○森 雅之・中山幸二・中谷公彦・安井雄一郎・前澤宏一（富山大） ED2011-19 CPM2011-26 SDM2011-32 |
[more] | ED2011-19 CPM2011-26 SDM2011-32 pp.95-98 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 09:55 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅 ○前澤宏一・笠原康司・潘 杰・森 雅之（富山大） ED2010-201 SDM2010-236 |
共鳴トンネル素子を装荷した伝送線路におけるTHz帯域増幅器の可能性について検討した．共鳴トンネルダイオードは直列ペア構成... [more] | ED2010-201 SDM2010-236 pp.53-56 |
| ED | 2010-09-13 14:55 |
福岡 | 九州工業大（若松キャンパス） | 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性 ○前澤宏一・柴田真吾・高岡和央・森 雅之（富山大） ED2010-126 |
周波数変調信号を用いたFMΔΣ アナログ-デジタル(AD) 変換器は，高分解能，高いダイナミックレンジが可能というΔΣA... [more] | ED2010-126 pp.19-23 |
| ED | 2010-06-17 13:00 |
石川 | 北陸先端大 | InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長 ○岩杉達矢・カマセ サラ・角田 梓・中谷公彦・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2010-33 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上へInSb単分子層を介してInSb薄膜を2段階成長させると、Siに対してInSbの... [more] | ED2010-33 pp.1-4 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 16:55 |
北海道 | 北海道大学 | AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-231 SDM2008-223 |
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し，その特性を調べた．作製には微小デバイスブロックの配置... [more] | ED2008-231 SDM2008-223 pp.41-46 |
| ED | 2008-06-14 09:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-34 |
Fluidic Self-Assembly(FSA)は数十ミクロン程度の大きさのデバイスブロックを溶液中で散布し，任意の... [more] | ED2008-34 pp.67-72 |
| ED | 2008-06-14 11:20 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ○森 雅之・斉藤光史・長島恭兵・上田広司・吉田達雄・前澤宏一（富山大） ED2008-37 |
Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させると、Si基板に対して30°回転し、結晶性や電気的特... [more] | ED2008-37 pp.81-84 |
| ED | 2008-06-14 11:45 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 ○斉藤光史・森 雅之・上田広司・前澤宏一（富山大） ED2008-38 |
我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している... [more] | ED2008-38 pp.85-90 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 10:15 |
北海道 | 北海道大学 | 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・安藤浩哉（豊田高専）・赤松和弘・中田弘章（日鉱金属） ED2007-247 SDM2007-258 |
共鳴トンネル素子を用いたシンプルなパルス生成器をInP基板上に試作した． 出力を100GHz帯域のオシロスコープによ... [more] |
ED2007-247 SDM2007-258 pp.51-56 |
| ED | 2007-06-15 14:50 |
富山 | 富山大学 | 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 ○村田和範・ノルスルヤティ ビンティ アハド・田村 悠・森 雅之・丹保豊和・前澤宏一（富山大） ED2007-35 |
Si(111)面上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長を超高真空チャンバー内で成長温度200-420℃の範囲で行っ... [more] | ED2007-35 pp.21-25 |
| ED | 2007-06-15 15:15 |
富山 | 富山大学 | Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成 ○斉藤光史・森 雅之・山下勇司・丹保豊和・前澤宏一（富山大） ED2007-36 |
[more] | ED2007-36 pp.27-32 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-01 14:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一（富山大）・大川洋平・岸本 茂・水谷 孝（名大） |
共鳴トンネル素子を用いた発振器においてこれまで問題となっていたスプリアス発振やバイアス不安定性を抑制できる新しい構成の発... [more] | ED2006-242 SDM2006-230 pp.13-16 |
| ED, SDM (共催) |
2006-01-27 11:45 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 大会議室 | 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器 ○前澤宏一・松原 渉・古川幸喜・水谷 孝（名大） |
共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣアナログ–デジタル変換器(ADC) について述べた．ΔΣADC... [more] | ED2005-237 SDM2005-249 pp.33-38 |
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