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研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
MW, ED (共催)	2021-01-29 14:25	ONLINE	オンライン開催	界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化 ○熊崎祐介・多木俊裕・小谷淳二・尾崎史朗（富士通/富士通研）・新井田佳孝（富士通研）・美濃浦優一（富士通/富士通研）・西森理人（富士通）・岡本直哉（富士通/富士通研）・佐藤　優・中村哲一（富士通研）・渡部慶二（富士通/富士通研） ED2020-34 MW2020-87	[more]	ED2020-34 MW2020-87 pp.34-37
MW, ED (共催)	2017-01-26 14:50	東京	機械振興会館地下2階1号室	［依頼講演］ミリ波GaN HEMTの現状 ○牧山剛三・新井田佳孝・尾崎史朗・多木俊裕・岡本直哉・美濃浦優一・佐藤　優・鎌田陽一・常信和清・渡部慶二（富士通）・宮本泰幸（東工大） ED2016-98 MW2016-174	[more]	ED2016-98 MW2016-174 pp.13-16
MW, ED (共催)	2017-01-27 09:30	東京	機械振興会館地下2階1号室	ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 ○高橋　剛・佐藤　優・芝　祥一・中舍安宏・原　直紀・岩井大介・岡本直哉・渡部慶二（富士通研） ED2016-102 MW2016-178	ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more]	ED2016-102 MW2016-178 pp.29-33
ED	2015-07-24 14:05	石川	ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町)	リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング ○美濃浦優一・岡本直哉・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・鎌田陽一・渡部慶二（富士通研） ED2015-38	[more]	ED2015-38 pp.9-13
MW, ED (共催)	2015-01-16 10:40	東京	機械振興会館	X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発 ○新井田佳孝・鎌田陽一・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・岡本直哉・佐藤　優・増田　哲・渡部慶二（富士通研） ED2014-127 MW2014-191	[more]	ED2014-127 MW2014-191 pp.59-63
LQE, ED, CPM (共催)	2011-11-17 16:45	京都	京都大学桂キャンパス桂ホール	ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 ○西森理人・牧山剛三・多木俊裕・山田敦史・今西健治・吉川俊英・原　直紀・渡部慶二（富士通研） ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108	[more]	ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108 pp.61-65

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