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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明
岡 博史松川 貴加藤公彦飯塚将太水林 亘遠藤和彦安田哲二森 貴洋産総研SDM2020-6 ICD2020-6
シリコン量子コンピューターは半導体微細加工技術を用いた量子ビットの大規模集積化に大きな期待が寄せられている。高性能なシリ... [more] SDM2020-6 ICD2020-6
pp.25-30
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
SDM 2018-02-08
10:05
東京 東京大学/本郷 [招待講演]クラスター気相合成法で形成したWSin (n=12)挿入膜を用いたCu直接コンタクト
岡田直也内田紀行小川真一遠藤和彦金山敏彦産総研SDM2017-97
 [more] SDM2017-97
pp.1-4
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
12:00
北海道 北海道大学情報教育館 ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション
浅井栄大森 貴洋服部淳一福田浩一遠藤和彦松川 貴産総研SDM2017-35 ICD2017-23
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] SDM2017-35 ICD2017-23
pp.21-24
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
15:00
熊本 熊本市 [招待講演]低消費電力LSI応用へ向けた高移動度III-V/Ge CMOS技術の最近の進展と課題
入沢寿史産総研)・池田圭司上牟田雄一小田 穣手塚 勉産総研/東芝)・前田辰郎太田裕之遠藤和彦産総研SDM2015-63 ICD2015-32
 [more] SDM2015-63 ICD2015-32
pp.31-36
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研SDM2014-143
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
SDM 2015-01-27
16:20
東京 機械振興会館 [招待講演]非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善
松川 貴福田浩一柳 永勛塚田順一山内洋美石川由紀遠藤和彦大内真一右田真司水林 亘森田行則太田裕之昌原明植産総研SDM2014-145
 [more] SDM2014-145
pp.41-44
SDM 2015-01-27
16:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証
森田行則森 貴洋福田浩一水林 亘右田真司松川 貴遠藤和彦大内真一柳 永勛昌原明植太田裕之産総研SDM2014-146
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] SDM2014-146
pp.45-48
ICD 2014-04-18
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術
昌原明植遠藤和彦大内真一松川 貴柳 永勛右田真司水林 亘森田行則太田裕之産総研ICD2014-15
20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は,トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と,顕在化する特性ばらつ... [more] ICD2014-15
pp.77-82
SDM 2014-01-29
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術
水林 亘産総研)・おの田 博中島良樹日新イオン機器)・石川由紀松川 貴遠藤和彦Yongxun Liu大内真一塚田順一山内洋美右田真司森田行則太田裕之昌原明植産総研SDM2013-138
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] SDM2013-138
pp.13-16
SDM, ICD
(共催)
2013-08-01
09:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上
森田行則森 貴洋右田真司水林 亘田邊顕人福田浩一遠藤和彦松川 貴大内真一柳 永シュン昌原明植太田裕之産総研SDM2013-66 ICD2013-48
トンネル電界効果トランジスタ (TFET) の特性を改善する新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提... [more] SDM2013-66 ICD2013-48
pp.7-12
ICD, ITE-IST
(連催)
2013-07-05
16:50
北海道 サン・リフレ函館 Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究
坂井秀男慶大)・大内真一遠藤和彦松川 貴柳 永シュン石川由紀塚田順一中川 格関川敏弘小池帆平昌原明植産総研)・石黒仁揮慶大ICD2013-43
本研究では二つの独立したゲートを持つIndependent-Double-Gate- (IDG-) FinFET の1/... [more] ICD2013-43
pp.119-124
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
10:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Decomposition analysis of on-current variability of FinFETs
Takashi MatsukawaYongxun LiuKazuhiko EndoShinichi O'uchiMeishoku MasaharaAIST
 [more]
ICD 2011-04-19
10:55
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM
大内真一遠藤和彦柳 永シュン松川 貴中川 格石川由紀塚田順一山内洋美関川敏弘小池汎平坂本邦博昌原明植産総研ICD2011-11
本稿では、ランダムばらつきに起因する故障ビットを救済する機能を持つFinFET SRAMについて提案する。このSRAMア... [more] ICD2011-11
pp.59-63
SDM, ED
(共催)
2011-02-23
16:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究
坂井秀男慶大)・大内真一松川 貴遠藤和彦柳 永勲塚田順一石川由紀中川 格関川敏弘小池帆平坂本邦博昌原明植産総研)・石黒仁揮慶大ED2010-198 SDM2010-233
近年、FinFETがMOSFETに代わる優秀なトランジスタとして、各研究機関で研究されている。しかし、FinFETを搭載... [more] ED2010-198 SDM2010-233
pp.37-42
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:25
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価
柳 永勲遠藤和彦大内真一産総研)・亀井貴弘明大)・塚田順一山内洋美石川由紀産総研)・林田哲郎明大)・坂本邦博松川 貴産総研)・小椋厚志明大)・昌原明植産総研SDM2010-151 ICD2010-66
ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し,結晶異方... [more] SDM2010-151 ICD2010-66
pp.149-154
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