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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ITS, IE (共催) ITE-AIT, ITE-HI, ITE-ME (共催) (連催) [詳細] |
2011-02-21 15:10 |
北海道 | 北海道大学 | 対象物検出機能を含むSVDDに基づく識別器の高精度化に関する一検討 ○岡田周史・小川貴弘・長谷山美紀（北大）  ITS2010-43 IE2010-118 |
本文では，対象物検出機能を含むSVDDに基づく識別器の高精度化手法を提案する．提案手法では，対象 物を含む学習画像から... [more] |
ITS2010-43 IE2010-118 pp.113-117 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 ○近藤正樹・秦 貴幸・岡田 浩・若原昭浩・古川雄三（豊橋技科大）・佐藤真一郎・大島 武（原子力機構） ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 |
[more] | ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 pp.11-16 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化 ○李 昌勇・松野文弥・橋元芳昇・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2010-30 CPM2010-20 SDM2010-30 |
Au/n-GaN SBD(Schottky barrier diode)を作製した。Au電極のサイズは1m$m^{2}$... [more] | ED2010-30 CPM2010-20 SDM2010-30 pp.69-73 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 ○田中誠造・野口健太・山根啓輔・出口裕輝・古川雄三・岡田 浩・若原昭浩・米津宏雄（豊橋技科大） ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 |
発光機能を有するモノリシック光電子集積回路(OEIC)の実現を目的として，Si/III-V-N/Si構造を用い，LEDイ... [more] | ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 pp.81-85 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted AlxGa1-xN ○Ji-Ho Park・Hiroshi Okada・Akihiro Wakahara・Yuzo Furukawa（Toyohashi Univ. of Tech.）・Yong-Tae Kim（Dankook Univ.）・Jonghan Song（KIST）・Ho-Jung Chang（Dankook Univ.）・Shin-ichiro Sato・Takeshi Ohshima（JAEA, Takasaki） ED2009-82 SDM2009-77 |
[more] | ED2009-82 SDM2009-77 pp.141-144 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 |
分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×1017 cm-3以上... [more] | ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 pp.65-70 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 11:20 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] | ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 pp.71-76 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2008-07-25 10:15 |
北海道 | 千歳アルカディア・プラザ | ループ解析に基づく安定化設計手法を適用した5.8GHz帯DSRC車載器用送受信システムMMIC ○新庄真太郎・堤 恒次・森 一富・岡田 洋（三菱電機）・井上雅博（三菱電機エンジニアリング）・末松憲治（三菱電機） MW2008-75 OPE2008-58 |
[more] | MW2008-75 OPE2008-58 pp.157-162 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ○泉 佳太・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 |
Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circui... [more] | ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 pp.29-34 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価 ○松野文弥・畠中 奨・中西快之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） |
GaP0.98N0.02はSiに格子整合可能であり，光電子融合集積回路(OEIC: optoelectronic int... [more] | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 09:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究 ○河野達也・畠中 奨・伊藤幹記・若原昭浩・岡田 浩・石田 誠（豊橋技科大） |
本研究では、集積回路作製時の熱処理に耐えうるGaNを光デバイス層として用いることで、一連のプロセスにおいて電子・光の両デ... [more] | ED2006-30 CPM2006-17 SDM2006-30 pp.55-60 |
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