| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-10-09 10:25 |
福岡 | 福岡交通センター | ［招待講演］低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術 ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立）  MR2009-26 |
次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価... [more] | MR2009-26 pp.31-35 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・久米 均・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立） SDM2009-112 ICD2009-28 |
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] | SDM2009-112 ICD2009-28 pp.79-83 |
| SDM | 2007-03-15 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化 ○松井裕一・黒土健三・外村 修・森川貴博・木下勝治・藤崎芳久・松崎 望・半澤 悟・寺尾元康・高浦則克・守谷浩志・岩崎富生（日立）・茂庭昌弘・古賀 剛（ルネサステクノロジ） |
相変化メモリの低電力書換えを実現する革新的なメモリセルを開発した。GeSbTe(GST)とWプラグの間に極薄のTa2O5... [more] | SDM2006-254 pp.1-6 |
| ICD, ITE-CE (共催) |
2006-01-26 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | 1.5-V CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術 ○半澤 悟・長田健一・河原尊之・竹村理一郎（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・高浦則克・松崎 望・黒土健三・守谷浩志（日立）・茂庭昌弘（ルネサステクノロジ） |
世界最小電流でリセット可能な相変化素子を用いたメモリセルのリセット/セット/リードの各動作を検証して、三つの相変化RAM... [more] | ICD2005-206 pp.7-12 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]