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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE | 2012-12-13 09:35 |
東京 | 機械振興会館 | 高速MBE成長法による19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの利得評価 ○田之上文彦（首都大東京/NICT）・菅原宏治（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克（NICT）  LQE2012-121 |
高速分子線エピタキシ(MBE)成長技術を用いて，共振器長100～600$ \mu $mの19層積層InGaAs量子ドット... [more] | LQE2012-121 pp.1-4 |
| CPM, OPE, LQE, EMD (共催) |
2011-08-26 13:55 |
北海道 | 北海道大学 創成科学研究棟 ５階 大会議室 | 高速MBE成長法による1-um帯高積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの作製 ○田之上文彦（首都大東京/NICT）・菅原宏治（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克（NICT） EMD2011-54 CPM2011-98 OPE2011-89 LQE2011-52 |
[more] | EMD2011-54 CPM2011-98 OPE2011-89 LQE2011-52 pp.113-116 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-28 17:40 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 波長1μm帯高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化 ○中村拓也（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT）・菅原宏治（首都大東京） PN2009-48 OPE2009-186 LQE2009-168 |
波長1um帯量子ドットレーザを試作・評価したので報告する。 高速MBE成長を用いて、高密度InGaAs量子ドットを形成し... [more] | PN2009-48 OPE2009-186 LQE2009-168 pp.71-74 |
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