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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2007-06-07 14:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測 ○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン）  SDM2007-34 |
Si2H6+NH3およびSi2H6+N2混合ガスのマイクロ波励起プラズマCVDにより、膜中内部応力の異なるシリコン窒化膜... [more] | SDM2007-34 pp.17-22 |
| SDM | 2007-06-08 14:15 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 ○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2007-48 |
化学溶液洗浄したp-Ge(100)基板上に、電子ビーム(EB) 蒸着により極薄Si 層を堆積しNH3熱窒化(600°C)... [more] | SDM2007-48 pp.91-96 |
| SDM | 2006-06-21 13:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析 ○中川 博・大田晃生・安部浩透・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） |
化学溶液洗浄したGe(100)基板上に反応性電子ビーム(EB)蒸着により堆積した極薄HfO2膜(膜厚2.1... [more] | SDM2006-43 pp.7-12 |
| SDM | 2006-06-21 13:50 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 光電子分光法によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価 ○古川寛章・多比良昌弘・大田晃生・中川 博・村上秀樹・宮崎誠一（広島大）・米田賢司・堀川貢弘・小山邦明・三宅秀治（エルピーダメモリ） |
[more] | SDM2006-44 pp.13-17 |
| SDM | 2006-06-21 16:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価 ○吉永博路・東 大介・村上秀樹・大田晃生・宗高勇気・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・青山敬幸・保坂公彦（富士通研）・芝原健太郎（広島大） |
不純物(Sb、As 、PおよびB)添加したNi-silicideを熱酸化シリコン酸化膜（SiO2）上に形成し、Si基板を... [more] | SDM2006-49 pp.43-48 |
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