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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 16:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 ○今泉文伸・森田拓海（小山高専）  SDM2023-59 |
近年、半導体材料の開発としてワイドバンドギャップの材料開発の重要性が高まっている。特に光デバイスやパワーデバイスの開発が... [more] | SDM2023-59 pp.34-39 |
| SDM | 2022-10-19 14:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電体BiFeO3薄膜表面の評価と分析 ○今泉文伸（小山高専） SDM2022-58 |
強誘電体や圧電材料を用いたデバイス，センサは現在様々な分野で使用されているが，主材料として使われているPb(Zr,Ti)... [more] | SDM2022-58 pp.16-19 |
| SDM | 2021-10-21 11:35 |
ONLINE | オンライン開催 | スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価 ○今泉文伸（小山高専） SDM2021-45 |
[more] | SDM2021-45 pp.5-7 |
| SDM | 2020-10-22 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | 強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析 ○今泉文伸・仲田陸人（小山高専） SDM2020-20 |
強誘電体や圧電材料を用いたデバイス、センサは現在様々な分野で使用されているが、主材料として使われているPb(Zr,Ti)... [more] | SDM2020-20 pp.30-33 |
| SDM | 2019-10-24 13:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 新しい圧電材料BiFeO3の薄膜形成技術と基板依存性 ○今泉文伸・仲田陸人（小山高専） SDM2019-63 |
鉛が含まれていない圧電材料であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組み合わせて成膜した。... [more] | SDM2019-63 pp.51-54 |
| SDM | 2018-10-17 14:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | スパッタリングプロセスを用いた新しい圧電材料とセンサへの応用 ○今泉文伸（小山高専）・柳田幸祐 SDM2018-53 |
[more] | SDM2018-53 pp.7-10 |
| SDM | 2015-10-30 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 ○今泉文伸・後藤哲也・寺本章伸・須川成利（東北大） SDM2015-78 |
将来の強誘電体メモリ、センサー、太陽電池に有効であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組... [more] | SDM2015-78 pp.41-44 |
| SDM | 2007-10-05 13:35 |
宮城 | 東北大学 | High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces ○Weitao Cheng・Akinobu Teramoto・Rihito Kuroda・Chingfoa Tye・Syunichi Watabe・Tomoyuki Suwa・Tetsuya Goto・Fuminobu Imaizumi・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） SDM2007-187 |
[more] | SDM2007-187 pp.45-48 |
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