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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-11-11
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究
小林正治Mo, FeiXiang, JiawenMei, Xiaoran沢辺慶起更屋拓哉平本俊郎東大)・Su, Chun-JungTSRI)・Hu, Vita Pi-HoNTUSDM2021-56
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない.特に消費電力性能が重要... [more] SDM2021-56
pp.19-22
SDM 2019-11-07
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治莫 非多川友作更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-69
 [more] SDM2019-69
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
09:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
小林正治莫 非多川友作金 成吉安 珉柱更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-45 ICD2019-10
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] SDM2019-45 ICD2019-10
pp.59-62
SDM 2019-01-29
11:25
東京 機械振興会館 [招待講演]Simulation study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential
Fei MoYusaku TagawaTakuya SarayaToshiro HiramotoMasaharu KobayashiUniv. of TokyoSDM2018-85
 [more] SDM2018-85
pp.17-20
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