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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, AP
(併催)
2023-09-28
10:10
高知 高知城歴史博物館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器
久樂 顕神岡 純桑田英悟山口裕太郎加茂宣卓新庄真太郎三菱電機MW2023-81
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する.広帯域化と低雑音化を両立... [more] MW2023-81
pp.7-10
SANE 2023-05-23
10:10
神奈川 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaN HEMT が実現する広帯域・高出力・低消費電力マイクロ波高出力増幅器
桑田英悟神岡 純新庄真太郎山中宏治三菱電機SANE2023-3
観測・通信・測位に用いられているマイクロ波の送信系統は, 電子管方式から半導体方式への置き換えが進んでいる. その大きな... [more] SANE2023-3
pp.12-17
MW, ED
(共催)
2023-01-27
11:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
不等間隔くし形安定化回路を用いたX帯600W超高出力IM-FET
桑田英悟杉谷拓海山崎貴嗣加茂宣卓新庄真太郎三菱電機ED2022-90 MW2022-149
 [more] ED2022-90 MW2022-149
pp.25-28
ED, MW
(共催)
2022-01-27
13:40
ONLINE オンライン開催 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響
桑田英悟山口裕太郎津留正臣三菱電機)・Johannes Benediktカーディフ大ED2021-63 MW2021-105
本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や... [more] ED2021-63 MW2021-105
pp.7-11
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-07-19
15:00
北海道 洞爺観光ホテル 小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC HPA
神岡 純桑田英悟中原和彦加茂宣卓半谷政毅新庄真太郎三菱電機EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28
小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC (Monolithic Microwave Int... [more] EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28
pp.119-124
MW, WPT
(共催)
2018-04-27
14:50
東京 機械振興会館B2F 1号室 銅ピラー接続Si/GaNチップ内蔵3次元実装S帯送信モジュール
川崎健吾桑田英悟石橋秀則矢尾知博石田 清前田和弘柴田博信津留正臣森 一富下沢充弘福本 宏三菱電機WPT2018-5 MW2018-5
ここではSiGeチップとGaNチップを3次元実装した小型・高出力S帯送信モジュールの試作結果を報告する.GaNチップは送... [more] WPT2018-5 MW2018-5
pp.19-23
ED, MW
(共催)
2018-01-26
09:55
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 UHF-C帯Si-GaN直列接続型超広帯域増幅器
桑田英悟川崎健吾津波大介前田和弘山中宏治三菱電機ED2017-98 MW2017-167
マイクロ波システムの高出力化,広帯域化の要求にこたえるため,マイクロ波増幅器へのGaN適用が進められている.更に近年では... [more] ED2017-98 MW2017-167
pp.25-29
AP, MW
(併催)
2017-09-22
14:25
埼玉 埼玉大学 MIM共振器型基本波高調波同時整合回路を適用したC-X帯20W級GaN MMIC高効率広帯域増幅器
桑田英悟・○二宮 大津波大介木村実人山中宏治三菱電機MW2017-76
 [more] MW2017-76
pp.47-52
MW, ED
(共催)
2017-01-27
14:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器
桑田英悟杉本篤夫小山英寿加茂宣卓幸丸竜太山中宏治三菱電機ED2016-110 MW2016-186
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている.この高電圧半導体にマッチした,小型な回路でインピーダ... [more] ED2016-110 MW2016-186
pp.75-79
ED 2016-01-20
15:30
東京 機械振興会館 GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析
渡辺伸介今井翔平桑田英悟小山英寿加茂宣卓山本佳嗣三菱電機ED2015-119
GaN HEMTのユニットセルトランジスタにおいて、ミリ波帯の発振が観測された。この発振を抑制すべくトランジスタに対して... [more] ED2015-119
pp.43-48
MW 2015-12-18
16:10
東京 東京理科大 葛飾キャンパス [特別講演]2015年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
河合 正兵庫県立大)・桑田英悟三菱電機)・陳 春平神奈川大)・上田哲也京都工繊大)・柴田幸司八戸工大)・須賀良介青学大)・篠原真毅京大)・堀部雅弘産総研MW2015-158
 [more] MW2015-158
pp.139-145
MW 2014-11-20
13:50
長崎 長崎大 Optimization of two-cell distributed power amplifiers
Christer AnderssonEigo KuwataKoji YamanakaMitsubishi ElectricMW2014-130
本論文では、2つの独立したRF入力信号を有した2セル分散型電力増幅器を最適化する
ためのマルチ・ハーモニック数値計算手... [more]
MW2014-130
pp.37-41
MW, OPE, EMT, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-07-17
10:00
北海道 室蘭工業大 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器
坂田修一桑田英悟山中宏治桐越 祐小山英寿加茂宣卓福本 宏三菱電機MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を... [more] MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11
pp.1-5
MW, OPE, EMT, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-07-17
10:25
北海道 室蘭工業大 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器
桑田英悟山中宏治坂田修一小山英寿加茂宣卓安藤晃洋中原和彦福本 宏三菱電機MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12
 [more] MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12
pp.7-10
MW 2013-11-21
15:45
鹿児島 鹿児島県文化センター [特別講演]2013年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
大平昌敬埼玉大)・上田哲也京都工繊大)・岡崎浩司NTTドコモ)・桑田英悟三菱電機)・高橋宏行NTT)・永井翔太郎山口大)・馬 哲旺埼玉大)・山之内慎吾NECMW2013-140
アメリカ合衆国・シアトルにおいて開催された2013年IEEE MTT-S 国際マイクロ波シンポジウム(Internati... [more] MW2013-140
pp.51-60
OPE, MW, MWP, EMT, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-07-22
11:25
北海道 北見工業大学 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
桑田英悟山中宏治小山英寿桐越 祐中山正敏平野嘉仁三菱電機MW2011-59 OPE2011-46 EST2011-45 MWP2011-27
 [more] MW2011-59 OPE2011-46 EST2011-45 MWP2011-27
pp.119-123
MW 2010-05-13
16:00
兵庫 兵庫県立大学 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
桑田英悟山中宏治桐越 祐井上 晃平野嘉仁三菱電機MW2010-17
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)... [more] MW2010-17
pp.17-22
OPE, EMT, MW
(共催)
2009-07-31
09:50
北海道 旭川市民文化会館 C-Ku帯GaN HEMT3倍帯域高効率高出力増幅器
桑田英悟山中宏治桐越 祐井上 晃平野嘉仁三菱電機MW2009-68 OPE2009-68
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)... [more] MW2009-68 OPE2009-68
pp.205-209
MW, ED
(共催)
2009-01-14
14:25
東京 機械振興会館 出力容量を考慮した回路設計による増幅器の広帯域化
桑田英悟山中宏治桐越 祐井上 晃宮崎守泰三菱電機ED2008-200 MW2008-165
近年,UWBなどの広帯域通信システムや,無線通信基地局のマルチバンド化に対応する増幅器の共有化を背景として,増幅器の広帯... [more] ED2008-200 MW2008-165
pp.11-15
MW 2008-06-27
14:50
愛知 豊橋技科大 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討
山中宏治能登一二三木村実人山内和久加茂宣卓桑田英悟大塚浩志井上 晃三菱電機MW2008-44
高調波処理(高調波整合)によるGaN HEMTの高効率動作について報告する.GaN HEMT はGaAs FETの約10... [more] MW2008-44
pp.69-74
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