| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-10-17 13:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究 ○小原俊樹・寺本章伸・黒田理人・米澤彰浩・後藤哲也・諏訪智之・須川成利・大見忠弘（東北大）  SDM2014-93 |
アレイテスト回路を使用することで多数のサンプルにおいて,2準位以上のRandom Telegraph Noise(RTN... [more] | SDM2014-93 pp.55-59 |
| SDM | 2013-10-17 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 ○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2013-91 |
[more] | SDM2013-91 pp.15-20 |
| SDM | 2013-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 ○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2013-98 |
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] | SDM2013-98 pp.51-56 |
| SDM | 2012-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2012-89 |
[more] | SDM2012-89 pp.1-4 |
| SDM | 2012-10-25 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 ○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2012-91 |
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] | SDM2012-91 pp.11-14 |
| SDM | 2012-10-26 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | Accumulation MOSFETsにおけるノイズ特性の評価 ○ゴベール フィリップ・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-92 |
[more] | SDM2012-92 pp.15-20 |
| SDM | 2012-10-26 09:55 |
宮城 | 東北大学未来研 | PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス ○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-93 |
[more] | SDM2012-93 pp.21-26 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 14:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits ○Hidetoshi Utsumi・Ryohei Kasahara・Yukihisa Nakao・Rihito Kuroda・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2011-10-20 14:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減 ○鈴木裕彌・黒田理人・寺本章伸・米澤彰浩・松岡弘章・中澤泰希・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-98 |
ブロードチャネル構造によって，劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ（RTN）の低減効果を得た．形成されるチャネルの位置をト... [more] | SDM2011-98 pp.5-9 |
| SDM | 2011-10-20 14:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価 ○稲塚卓也・熊谷勇喜・黒田理人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-99 |
[more] | SDM2011-99 pp.11-16 |
| SDM | 2011-10-20 15:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスにおける界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係 ○黒田理人・寺本章伸・李 翔・諏訪智之・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-101 |
[more] | SDM2011-101 pp.21-26 |
| SDM | 2011-10-21 10:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸（東北大）・木下豊彦・室隆桂之（高輝度光科学研究センター）・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2011-105 |
酸素ラジカルおよび酸素分子で形成したSiO2膜について、Si 2pからの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを測定し、Si... [more] | SDM2011-105 pp.49-52 |
| SDM, ED (共催) (第二種研究会) |
2011-06-29 - 2011-07-01 |
海外 | Legend Hotel | Clear Difference between the Chemical Structure of SiO2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals and Oxygen Molecules ○Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi・Takeo Hattori（Tohoku Univ.） |
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| SDM | 2010-11-11 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 ○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2010-174 |
MOSFETにおけるRandom Telegraph Signal (RTS)の振幅，時定数等，重要なパラメータは一つ一... [more] | SDM2010-174 pp.17-22 |
| SDM | 2010-10-21 17:10 |
宮城 | 東北大学 | ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成 ○田中宏明・黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2010-157 |
[more] | SDM2010-157 pp.25-30 |
| SDM | 2010-10-22 13:40 |
宮城 | 東北大学 | Integration of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon into Advanced Cu Interconnects ○Xun Gu・Takenao Nemoto・Yugo Tomita・Akinobu Teramoto・Shin-Ichiro Kuroki・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） SDM2010-165 |
[more] | SDM2010-165 pp.53-56 |
| SDM | 2010-10-22 14:50 |
宮城 | 東北大学 | 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-167 |
Si 2pとO 1sの内殻準位および価電子帯からの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを脱出深さを揃えて測定し、Oラジカル... [more] | SDM2010-167 pp.61-65 |
| SDM | 2010-10-22 16:20 |
宮城 | 東北大学 | 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-170 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] | SDM2010-170 pp.71-75 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-93 SDM2010-94 |
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] | ED2010-93 SDM2010-94 pp.183-188 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance ○Yukihisa Nakao・Rihito Kuroda・Hiroaki Tanaka・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-119 SDM2010-120 |
[more] | ED2010-119 SDM2010-120 pp.303-308 |
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