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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2010-09-13 15:20 |
福岡 | 九州工業大（若松キャンパス） | 三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性解析とモデリング ○須原理彦・浅川澄人・板垣陽介・斉藤光史・新屋秀秋・高萩 智（首都大東京）  ED2010-127 |
共鳴トンネルダイオードは，その現象の予測および実験的検証以来，量子井戸構造を一つだけ有する二重障壁共鳴トンネルダイオード... [more] | ED2010-127 pp.25-30 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Analysis of low loss and wideband characteristics for monolithic isolators using resonant tunneling diodes ○Nobuhiko Tanaka・Mitsufumi Saito・Michihiko Suhara（Tokyo Metro. Univ.） ED2010-62 SDM2010-63 |
[more] | ED2010-62 SDM2010-63 pp.49-53 |
| ED | 2010-06-18 10:25 |
石川 | 北陸先端大 | 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 ○板垣陽介・浅川澄人・新屋秀秋・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2010-43 |
共鳴トンネルダイオード(RTD)は、原理的にはTHz領域まで微分負性抵抗(NDR)を得られる能動デバイスである。しかし、... [more] | ED2010-43 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 17:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Fundamental study of a composite right/left-handed transmission line with self-multiplexed properties toward functional wireless interconnects ○Sadaharu Ito・Michihiko Suhara（Tokyo Metro Univ.） ED2009-60 SDM2009-55 |
A composite right/left-handed (CRLH) transmission line with ... [more] | ED2009-60 SDM2009-55 pp.41-46 |
| ED | 2009-06-11 15:35 |
東京 | 東京工業大学 | GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価 ○中村成志・星野晃一・落合俊輔・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） ED2009-40 |
[more] | ED2009-40 pp.21-25 |
| ED | 2008-06-14 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 ○井城悠一（首都大東京）・品田唱秋（都立大）・直井 護（首都大東京）・朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） ED2008-33 |
化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオード（TBRTD）の非線形小信号等価回路の同定と回路素子成分のバイアス電圧依存性を... [more] | ED2008-33 pp.61-66 |
| ED | 2007-06-15 16:40 |
富山 | 富山大学 | 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討 ○須原理彦・植木絵理・奥村次徳（首都大東京） ED2007-39 |
微分負性抵抗素子である共鳴トンネルダイオード２個とFET１個用いて構成する集積型ジャイレータ回路を提案した。2ポート回路... [more] | ED2007-39 pp.45-50 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-01 13:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング ○朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） |
[more] | ED2006-240 SDM2006-228 pp.1-6 |
| R, ED, SDM (共催) |
2005-11-25 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価 ○須田将之（都立大）・中村成志・須原理彦・奥村次徳（都立大/首都大東京） |
プラズマ照射によるn-GaNの電気特性への影響を評価した．水素プラズマ照射されたSi doped n-GaNにおいて，低... [more] | R2005-45 ED2005-180 SDM2005-199 pp.43-46 |
| MW | 2005-09-12 11:35 |
東京 | 青山学院大学 | 平面型スパイラルインダクタのサイズスケーリング則と構造最適化に関する理論解析 ○岡山政憲（都立大）・須原理彦・奥村次徳（都立大/首都大東京） |
[more] | MW2005-67 pp.27-32 |
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