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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:45 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 ○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属）  ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 |
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] | ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 pp.35-38 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 15:10 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 ○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 |
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープｐ－GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] | ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 pp.39-42 |
| RCS, AP (併催) |
2013-11-20 17:15 |
島根 | 松江テルサ | 次世代空港面通信規格AeroMACSの仙台空港における事前評価 ○森岡和行・金田直樹・二ッ森俊一・本田純一・河村暁子・米本成人・住谷泰人（電子航法研） RCS2013-175 |
本報告では, 次世代空港面通信規格AeroMACS (Aeronautical Mobile Airport Commu... [more] | RCS2013-175 pp.7-11 |
| ED | 2012-07-26 15:25 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・野本一貴（ノートルダム大）・塩島謙次（福井大） ED2012-45 |
低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、... [more] | ED2012-45 pp.21-24 |
| ED | 2012-07-26 15:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・梶原隆司・田中 悟（九大）・塩島謙次（福井大） ED2012-46 |
結晶成長後の降温時にNH3供給を停止する温度(TNH3)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-Ga... [more] | ED2012-46 pp.25-30 |
| SAT, SANE (併催) |
2012-02-17 11:45 |
三重 | 三重大学 | UAVを用いた航空無線通信システム実験の一検討 ○住谷泰人・金田直樹・米本成人・二ッ森俊一・河村暁子・磯崎栄寿・山 康博（電子航法研） SANE2011-167 |
将来、航空需要が増大した場合、航空通信需要の増加が予想されている。このため、欧米の航空用標準規格団体では5GHz帯におけ... [more] | SANE2011-167 pp.41-46 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-11 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード ○望月和浩（日立）・野本一貴・畠山義智・片寄秀雄（法政大）・三島友義・金田直樹・土屋忠巌（日立電線）・寺野昭久・石垣隆士・土屋朋信・土屋龍太（日立）・中村 徹（法政大） ED2011-125 MW2011-148 |
Photon recycling was used to increase ionization of Mg in Ga... [more] | ED2011-125 MW2011-148 pp.35-40 |
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