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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-06-22 13:25 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 原子層堆積法により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性 ○古田和也・竹内和歌奈・坂下満男・近藤博基・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2010-40 |
[more] | SDM2010-40 pp.39-42 |
| SDM | 2009-06-19 13:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-33 |
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] | SDM2009-33 pp.39-44 |
| SDM | 2009-06-19 14:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） SDM2009-37 |
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] | SDM2009-37 pp.61-66 |
| SDM | 2009-06-19 16:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 ○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-41 |
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い，ウェハー面内での膜厚ばらつ... [more] | SDM2009-41 pp.81-85 |
| SDM | 2008-06-10 13:10 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 ○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） SDM2008-54 |
バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)3)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)... [more] | SDM2008-54 pp.71-75 |
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