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 19件中 1~19件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-11-11
16:15
ONLINE オンライン開催 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案
竹内 潔水谷朋子更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2021-58
基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の2倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が... [more] SDM2021-58
pp.29-32
SDM 2020-11-20
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション ~ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ~
執行直之渡辺正裕角嶋邦之星井拓也古川和由東工大)・中島 昭産総研)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・若林 整宗田伊里也東工大)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2020-30
 [more] SDM2020-30
pp.36-40
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2019-77
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシ... [more] SDM2019-77
pp.45-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:00
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2019-41 ICD2019-6
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した.65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] SDM2019-41 ICD2019-6
pp.27-30
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大SDM2019-42 ICD2019-7
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大SDM2018-90
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
09:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang GaoTomoko MizutaniKiyoshi TakeuchiMasaharu KobayashiToshiro HiramotoUniv. TokyoSDM2018-37 ICD2018-24
We present a new finding that subthreshold slope (SS) variab... [more] SDM2018-37 ICD2018-24
pp.65-70
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2018-49 ICD2018-36
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,... [more] SDM2018-49 ICD2018-36
pp.121-126
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:45
北海道 北海道大学情報教育館 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉東大)・篠原尋史早大)・小林正治平本俊郎東大SDM2017-38 ICD2017-26
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] SDM2017-38 ICD2017-26
pp.49-54
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
15:05
大阪 中央電気倶楽部 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき
水谷朋子竹内 潔鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2016-67 ICD2016-35
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し,統計解析を行った.線幅が2nmまで減少すると,DI... [more] SDM2016-67 ICD2016-35
pp.123-126
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:00
富山 富山県民会館 Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価
水谷朋子Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2011-83 ICD2011-51
 [more] SDM2011-83 ICD2011-51
pp.65-68
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:25
富山 富山県民会館 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
Anil Kumar水谷朋子東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2011-84 ICD2011-52
 [more] SDM2011-84 ICD2011-52
pp.69-73
ICD 2011-04-19
10:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式
武田晃一斉藤寿男朝山 忍相本代志治小畑弘之伊藤信哉高橋寿史竹内 潔野村昌弘林 喜宏ルネサス エレクトロニクスICD2011-10
 [more] ICD2011-10
pp.55-58
ICD 2010-12-17
13:00
東京 東京大学 先端科学技術研究センター [招待講演]微細MOSデバイスのばらつき
竹内 潔ルネサス エレクトロニクスICD2010-121
 [more] ICD2010-121
pp.131-133
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
13:20
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析
平本俊郎鈴木 誠更屋拓哉清水 健東大)・西田彰男蒲原史朗竹内 潔最上 徹MIRAI-SeleteSDM2010-144 ICD2010-59
 [more] SDM2010-144 ICD2010-59
pp.111-114
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:00
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
水谷朋子東大)・角村貴昭MIRAI-Selete)・Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2010-150 ICD2010-65
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] SDM2010-150 ICD2010-65
pp.143-148
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
SDM 2009-11-13
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき
竹内 潔MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス)・西田彰男MIRAI-Selete)・平本俊郎MIRAI-Selete/東大SDM2009-147
 [more] SDM2009-147
pp.67-71
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
14:00
東京 機械振興会館 [特別講演]微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向
平本俊郎東大/MIRAI-Selete)・竹内 潔角村貴昭MIRAI-Selete)・Arifin T.P.東大)・西田彰男蒲原史朗MIRAI-SeleteSDM2008-135 ICD2008-45
微細トランジスタの特性ばらつきは,半導体技術のおける最大の問題の一つである.最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] SDM2008-135 ICD2008-45
pp.41-46
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