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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）  ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybri... [more] | ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 pp.39-42 |
| SDM | 2015-11-06 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） SDM2015-90 |
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] | SDM2015-90 pp.35-38 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-124 MW2012-154 |
ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについ... [more] | ED2012-124 MW2012-154 pp.63-68 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード ○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2011-137 MW2011-160 |
[more] | ED2011-137 MW2011-160 pp.101-105 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計 ○中澤敏志・鶴見直大・西嶋将明・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-139 MW2011-162 |
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から... [more] | ED2011-139 MW2011-162 pp.111-115 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 ○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 |
グラファイトは軽量かつ熱伝導性に優れており、窒化物半導体の下地基板に用いると様々なデバイス応用が期待できることから、近年... [more] | ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 pp.67-70 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
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