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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 15:45 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード ○矢嶋赳彬（東大）・佐俣勇佑・西村知紀・鳥海 明（JST）  SDM2019-32 |
我々は超高誘電率（比誘電率~110）を持つTiO2をゲート絶縁体に用いることで、1×1014/cm2を超える大量の電子を... [more] | SDM2019-32 pp.35-38 |
| SDM | 2018-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties ○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） SDM2017-96 |
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] | SDM2017-96 pp.21-24 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-02 10:50 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | ［招待講演］金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路 ○矢嶋赳彬・西村知紀・鳥海 明（東大） SDM2017-44 ICD2017-32 |
酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キャパシタが電荷を積算するのとは... [more] | SDM2017-44 ICD2017-32 pp.107-108 |
| SDM | 2017-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation ○Xu Lun・Shibayama Shigehisa・Izukashi Kazutaka・Nishimura Tomonori・Yajima Takeaki（Univ. of Tokyo）・Migita Shinji（AIST）・Toriumi Akira（Univ. of Tokyo） SDM2016-137 |
[more] | SDM2016-137 pp.29-32 |
| SDM | 2017-01-30 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ～ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ～ ○矢嶋赳彬・西村知紀・鳥海 明（東大） SDM2016-138 |
モノのインターネット（IoT）においては、機能を特化したハードウェアによってコストを削減し、設計を単純化することが重要で... [more] | SDM2016-138 pp.33-36 |
| SDM | 2015-01-27 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化 ○李 秀妍・矢嶋赳彬・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2014-135 |
[more] | SDM2014-135 pp.1-4 |
| SDM | 2014-06-19 15:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現 ○矢嶋赳彬・二宮裕磨・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2014-55 |
[more] | SDM2014-55 pp.65-67 |
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