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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2023-04-11 09:30 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］電流調整機能を用いたばらつき補正PIMアーキテクチャの開発 ○北形大樹・田中信二・藤田直哉・入江尚昭（ルネサス エレクトロニクス）  ICD2023-8 |
近年AIアクセラレータの低電力化に向けてProcessing-in-memory (PIM)の開発が盛んである[1]．特... [more] | ICD2023-8 p.16 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 13:15 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | ［依頼講演］パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル ○石井雄一郎・田中美紀・藪内 誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng（ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス） SDM2018-40 ICD2018-27 |
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] | SDM2018-40 ICD2018-27 pp.83-88 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 13:10 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発 ○藪内 誠・森本薫夫・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-48 ICD2018-35 |
[more] | SDM2018-48 ICD2018-35 pp.115-120 |
| ICD | 2018-04-20 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例 ○澤田陽平・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・藪内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘・伊東恭二（日本システムウエア）・田中信二・新居浩二・蒲原史郎（ルネサス エレクトロニクス） ICD2018-8 |
[more] | ICD2018-8 pp.29-32 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 10:40 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 ○藪内 誠・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘（日本システムウエア）・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・蒲原史朗（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-33 ICD2017-21 |
[more] | SDM2017-33 ICD2017-21 pp.13-16 |
| ICD | 2017-04-21 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM ○澤田陽平・藪内 誠・森本薫夫（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-12 |
[more] | ICD2017-12 pp.63-65 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:25 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・良田雄太・柴田 健・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] | EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 pp.87-92 |
| SDM | 2016-01-28 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 ○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-125 |
[more] | SDM2015-125 pp.21-25 |
| ICD | 2015-04-16 13:25 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM 田中信二・石井雄一郎・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中浩司・塚本康正・○新居浩二・佐藤広利（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-2 |
[more] | ICD2015-2 pp.5-8 |
| SDM | 2015-01-27 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM ○藪内 誠・森本薫夫・塚本康正・田中信二・田中浩司・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-144 |
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術... [more] | SDM2014-144 pp.37-40 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 10:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM ○梅本由紀子・新居浩二・石川次郎・薮内 誠・塚本康正・田中信二・田中浩司・森 和孝・柳沢一正（ルネサス エレクトロニクス） SDM2013-77 ICD2013-59 |
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] | SDM2013-77 ICD2013-59 pp.59-64 |
| ICD | 2012-04-24 11:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路 ○石井雄一郎・塚本康正・新居浩二・藤原英弘・薮内 誠・田中浩司・田中信二・島崎靖久（ルネサス エレクトロニクス） ICD2012-11 |
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について，ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] | ICD2012-11 pp.55-60 |
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