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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2011-10-26 14:55 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製 ○堀田 徹・杉田憲一・A. G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）  CPM2011-113 |
InGaNとInAlNによるヘテロ構造デバイス作製にむけて、MOVPE法を用いて単層でのInAlN、InGaNの成長条件... [more] | CPM2011-113 pp.23-26 |
| CPM | 2011-10-27 10:20 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長 ○三原章宏・杉田憲一・Ashraful G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）・渡邉則之・重川直輝（NTT） CPM2011-120 |
InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n... [more] | CPM2011-120 pp.55-58 |
| CPM | 2011-10-27 10:45 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | NH3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長 ○廣長大造・杉田憲一・A.g. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大） CPM2011-121 |
NH3 を窒素源とするInNのMOVPE成長において、NH3の分解率向上のためにPt触媒の導入を提案し検討した。Pt触媒... [more] | CPM2011-121 pp.59-62 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 16:30 |
福井 | 福井大学 | 高In組成(1～0.5)InAlNの常圧MOVPE成長 ○宝珍禎則・橋本明弘・山本あき勇（福井大） ED2007-178 CPM2007-104 LQE2007-79 |
[more] | ED2007-178 CPM2007-104 LQE2007-79 pp.109-112 |
| CPM | 2006-11-10 10:15 |
石川 | 金沢大学 | MOVPE成長したInN膜の成長中劣化現象 ○杉田憲一・宝珍禎則・橋本明弘・山本暠勇（福井大） |
[more] | CPM2006-125 pp.71-74 |
| CPM | 2005-11-12 09:00 |
福井 | 福井大学 | MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果 ○永井泰彦・三輪浩士・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
常圧MOVPE成長InN膜におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果を検討した。エッチング時間の増加に伴ない、GaN... [more] | CPM2005-161 pp.1-4 |
| CPM | 2005-11-12 09:25 |
福井 | 福井大学 | バルクGaN基板上へのInN膜のMOVPE 成長と評価 ○ワン ウェンジュン・三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
バルクGaN基板上へのIn極性、N極性InN膜のMOVPE成長について検討した。Ga極性GaN基板上にはIn極性のInN... [more] | CPM2005-162 pp.5-8 |
| CPM | 2005-11-12 09:50 |
福井 | 福井大学 | ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果 ○宮西正芳（福井大）・高橋尚也（福井高専）・小林隆弘（福井大）・高山勝己（福井高専）・南保幸男（日華化学）・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
ArFエキシマレーザ援用MOCVD法(La-MOCVD法)により低温（500℃以下）で形成したInN膜には酸素が混入し易... [more] | CPM2005-163 pp.9-12 |
| CPM | 2005-11-12 10:15 |
福井 | 福井大学 | 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長 ○趙 明秀・小林隆弘・澤崎尚樹・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） |
Si(111)基板へのC+イオン注入により作製した3c-SiC/Si(111)構造基板上へMOVPE成長させたInN膜と... [more] | CPM2005-164 pp.13-16 |
| CPM | 2005-11-12 10:40 |
福井 | 福井大学 | 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 ～ 基板表面の窒化処理効果 ～ ○澤崎尚樹・小林隆弘・趙 明秀・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） |
Si基板へのC+イオン注入により作製した3c-SiC/Si基板上にMOVPE法を用いて成長させたGaN膜は凹凸の激しい表... [more] | CPM2005-165 pp.17-20 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 09:50 |
滋賀 | 立命館大学 | 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMIモル比依存性 ○三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
[more] | ED2005-119 CPM2005-106 LQE2005-46 pp.5-8 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 12:00 |
滋賀 | 立命館大学 | CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果 ○永井泰彦・三輪浩士・丹羽弘和・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
[more] | ED2005-125 CPM2005-112 LQE2005-52 pp.35-38 |
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