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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
16:00
京都 京都大学 軟X線源を用いたSiOx中nc-Siの形成
草壁 史平野翔大部家 彰松尾直人神田一浩望月孝晏宮本修治兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大EID2014-32 SDM2014-127
 [more] EID2014-32 SDM2014-127
pp.99-102
SDM, OME
(共催)
2014-04-11
09:50
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]多結晶シリコン薄膜の低温成長に関する研究 ~ 高性能フレキシブルディスプレイ実現に向けて ~
河本直哉只友一行山口大)・部家 彰松尾直人兵庫県立大SDM2014-12 OME2014-12
 [more] SDM2014-12 OME2014-12
pp.51-54
SDM 2013-12-13
10:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池
若宮彰太小林孝裕松尾直人部家 彰兵庫県立大SDM2013-120
 [more] SDM2013-120
pp.25-29
SDM 2013-12-13
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ~ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ~
草壁 史丸山裕樹部家 彰松尾直人神田一浩望月孝晏兵庫県立大)・伊藤和博高橋 誠阪大SDM2013-126
a-Ge, a-SiGe 膜の軟 X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge 膜において蓄積リング電... [more] SDM2013-126
pp.61-66
SDM 2013-12-13
13:50
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発
部家 彰草壁 史丸山裕樹松尾直人神田一浩兵庫県立大)・野口 隆琉球大SDM2013-127
10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性化について検討した。... [more] SDM2013-127
pp.67-72
SDM 2012-12-07
11:30
京都 京都大学(桂) DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討
前野尚子松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大SDM2012-121
我々はSi基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAに電荷保持特性がある事を報告し... [more] SDM2012-121
pp.37-40
SDM 2012-12-07
15:30
京都 京都大学(桂) MOS構造を有する太陽電池による変換効率の向上
小林孝裕松尾直人部家 彰兵庫県立大SDM2012-132
太陽電池の変換効率を支配する要因の内分けの内、表面又はバルクにおけるキャリア再結合による損失は30%といわれている。我々... [more] SDM2012-132
pp.101-105
SDM, OME
(共催)
2012-04-28
09:00
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化
松尾直人部家 彰望月孝晏宮本修治神田一浩兵庫県立大SDM2012-11 OME2012-11
 [more] SDM2012-11 OME2012-11
pp.49-54
SDM 2011-12-16
16:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発
部家 彰野々村勇希木野翔太松尾直人天野 壮宮本修治神田一浩望月孝晏兵庫県立大)・都甲 薫佐道泰造宮尾正信九大SDM2011-145
結晶化が起こるには、結晶核形成と結晶粒成長の2つのプロセスを経る必要があるが、一般に結晶核形成には多くのエネルギーを必要... [more] SDM2011-145
pp.71-76
SDM 2011-12-16
16:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性
高城祥吾松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大)・横山 新広島大SDM2011-147
SOI基板を用いて、100nmのギャップを持つソース/ドレイン電極間を繋ぐように形成したDNA分子の電荷保持特性を調査し... [more] SDM2011-147
pp.83-85
SDM 2010-12-17
16:45
京都 京都大学(桂) Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究
高城祥吾松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大)・坂本憲児横山 新広島大SDM2010-201
本研究では,Si基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAの伝導特性,及び,n-S... [more] SDM2010-201
pp.87-91
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
11:00
沖縄 沖縄県青年会館 ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察
部家 彰長谷川裕師松尾直人兵庫県立大SDM2010-3 OME2010-3
ペンタセン膜厚1,3,10,50nmの有機薄膜トランジスタ(OTFT)およびペンタセン縦方向評価試料を作製し,その電気特... [more] SDM2010-3 OME2010-3
pp.9-12
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
14:40
沖縄 沖縄県青年会館 エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果
部家 彰山田和史兵庫県立大)・河本直哉山口大)・松尾直人兵庫県立大SDM2010-10 OME2010-10
エキシマレーザ・アニール法により形成したpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長に対する水素の効果を検討した.レーザ照射密... [more] SDM2010-10 OME2010-10
pp.45-48
SDM 2009-12-04
15:30
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 レーザプラズマ軟X線照射により形成された擬似結晶核を介したa-Si膜の結晶化
礒田伸哉松尾直人天野 壮部家 彰宮本修治望月孝晏兵庫県立大SDM2009-165
LPXを照射したa-Si膜を、ラマン分光法、分光エリプソメトリ、ESRを用いて解析した。LPX照射によりa-Si膜上部の... [more] SDM2009-165
pp.73-77
SDM 2008-12-05
11:30
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜表面のSi原子移動
高梨泰幸部家 彰・○松尾直人神田一浩兵庫県立大SDM2008-187
アンジュレータ光源から発生した軟X線をa-Si膜(膜厚1, 50nm)に照射したときの特性変化を検討した.照射前後で表面... [more] SDM2008-187
pp.17-20
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
16:10
沖縄 沖縄県青年会館 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上
部家 彰佐藤真彦長谷川裕師松尾直人兵庫県立大SDM2008-13 OME2008-13
加熱触媒体線で分解・生成した原子状水素をゲート絶縁膜に吹き付ける「原子状水素アニール(AHA)処理」を行うことで,絶縁膜... [more] SDM2008-13 OME2008-13
pp.61-66
SDM 2007-12-14
10:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 レーザプラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果
高梨泰幸・○松尾直人上拾石和也部家 彰天野 壮宮本修治望月孝晏兵庫県立大SDM2007-224
我々はレーザプラズマX線(LPX)と低エネルギ密度でのエキシマレーザアニーリング(ELA)を併用した結晶化について研究し... [more] SDM2007-224
pp.9-13
R, ED, SDM
(共催)
2005-11-25
10:50
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 ~ 低温触媒CVD装置の開発 ~
部家 彰兵庫県立大)・南川俊治石川工試)・仁木敏一南 茂平石川製作所)・増田 淳梅本宏信北陸先端大)・松尾直人兵庫県立大)・松村英樹北陸先端大
 [more] R2005-39 ED2005-174 SDM2005-193
pp.7-12
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