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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2019-11-07 15:00 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 ○長内公哉・中村和樹・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）  CPM2019-46 |
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] | CPM2019-46 pp.9-14 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-02 14:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 ○中澤日出樹・中村和樹・長内公哉・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大） CPM2018-52 |
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] | CPM2018-52 pp.99-104 |
| CPM | 2018-08-09 14:30 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 中村和樹・大橋 遼（弘前大）・横山 大・田島圭一郎・遠藤則史・末光眞希（東北大）・遠田義晴・小林康之・鈴木裕史・○中澤日出樹（弘前大） CPM2018-8 |
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] | CPM2018-8 pp.1-6 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 15:10 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性 ○菅原健太・渡辺隆之・ヤダフ ディピカ・込山貴大・布施吉貴（東北大）・リジー マキシム（会津大）・リジー ヴィクトール・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大） ED2017-91 |
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する．SiC基板の熱... [more] | ED2017-91 pp.73-76 |
| CS, OCS (併催) |
2016-01-22 09:50 |
鹿児島 | 鹿児島大学 稲盛アカデミー（郡元キャンパス） | 次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換 ○菅原健太・玉虫 元・アドリアン ドブロユ・吉田智洋・末光哲也・吹留博一・末光眞希・リズィー ビクトール・岩月勝美（東北大）・桑野 茂・可児淳一・寺田 純（NTT）・尾辻泰一（東北大） OCS2015-95 |
グラフェンチャネルFET(G-FET)，及びInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を試作し，それらトランジスタを用... [more] | OCS2015-95 pp.41-46 |
| ED | 2015-12-21 15:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 ○玉虫 元・菅原健太・佐藤 昭・田島圭一郎・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大） ED2015-95 |
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラ... [more] | ED2015-95 pp.25-30 |
| ED | 2012-04-18 13:25 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御 ○吹留博一・川合祐輔・末光眞希（東北大） ED2012-2 |
我々は、次世代デバイス材料：グラフェンのSi基板へのエピ成長に成功している。このエピグラフェンのデバイス応用に向けては、... [more] | ED2012-2 pp.5-7 |
| CPM | 2010-10-29 10:25 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 永田一樹・里本宗一（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・○安井寛治（長岡技科大） CPM2010-102 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2010-102 pp.55-58 |
| ED | 2009-11-30 10:30 |
大阪 | 大阪科学技術センター | 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測 ○唐澤宏美・渡辺隆之・小森常義（東北大）・末光眞希（東北大/JST）・ヴィクトール リーズィー（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST） ED2009-169 |
炭素原子の六員環単層シートであるグラフェンは、バンドギャップを持たず、線形分散をとるため、半導体とは異なる特異な電子物性... [more] | ED2009-169 pp.53-58 |
| CPM | 2009-08-10 16:05 |
青森 | 弘前大学 | 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 ○三浦創史・中澤日出樹・西崎圭太（弘前大）・末光眞希（東北大）・安井寛治（長岡技科大）・伊藤 隆・遠藤哲郎（東北大）・成田 克（山形大） CPM2009-36 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン（MMS）を用いた高周波プラズマ化学気... [more] | CPM2009-36 pp.13-18 |
| CPM | 2009-08-10 16:30 |
青森 | 弘前大学 | 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化 ○遲澤遼一・中澤日出樹・奥崎知秀・佐藤直之・遠田義晴（弘前大）・末光眞希（東北大） CPM2009-37 |
KrFエキシマレーザーを用いたレーザーアブレーション法によりSi基板上にダイヤモンドライクカーボン（diamond-li... [more] | CPM2009-37 pp.19-24 |
| CPM | 2009-08-11 11:40 |
青森 | 弘前大学 | 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 齋藤 健・永田一樹（長岡技科大）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・高田雅介・赤羽正志・○安井寛治（長岡技科大） CPM2009-45 |
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] | CPM2009-45 pp.61-66 |
| ED | 2009-04-24 09:50 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン（GOS）技術 ○半田浩之・宮本 優・齋藤英司・吹留博一・伊藤 隆（東北大）・末光眞希（東北大/JST） ED2009-10 |
近年，産業への適応性から，SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている．しか... [more] | ED2009-10 pp.39-43 |
| ED | 2009-04-24 13:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング ○齋藤英司・末光眞希（東北大） ED2009-14 |
モノメチルシランを用いたSi基板上3C-SiC成長中に単色温度計の温度表示が振動する“温度振動”を観測した．この振動は薄... [more] | ED2009-14 pp.59-61 |
| ED | 2009-04-24 13:25 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長 ○村重正悟・松本光正・稲吉陽平・末光眞希（東北大）・中嶋節男・上原 剛（積水化学）・豊島安健（産総研） ED2009-15 |
パルス電界常圧プラズマCVD法を用いてPET基板上に多結晶Si(Poly-Si)成長を行い，Raman散乱分光法および透... [more] | ED2009-15 pp.63-67 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用 ○尾辻泰一・末光哲也・姜 顯澈・唐澤宏美・宮本 優・半田浩之・末光眞希（東北大）・佐野栄一（北大）・リズィー マキシム・リズィー ヴィクトール（会津大） ED2008-224 SDM2008-216 |
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する．グラフェンの形成技術として... [more] | ED2008-224 SDM2008-216 pp.1-6 |
| CPM | 2008-10-30 13:25 |
新潟 | 新潟大学 | パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長 ○小前泰彰・齋藤 健（長岡技科大）・末光眞希・伊藤 隆・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（九工大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大） CPM2008-76 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2008-76 pp.7-12 |
| SDM | 2008-06-10 12:45 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定 ○山本喜久・富樫秀晃・今野篤史・松本光正・加藤 篤・齋藤英司・末光眞希（東北大）・寺岡有殿・吉越章隆（原子力機構） SDM2008-53 |
Si(110)表面の熱酸化膜被覆過程およびその界面結合状態をリアルタイム放射光光電子分光により調べた．その結果，酸化開始... [more] | SDM2008-53 pp.65-70 |
| CPM | 2007-11-17 09:00 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ～ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ～ ○深田祐介・安部和貴・黒木雄一郎（長岡技科大）・末光眞希・伊藤 隆（東北大）・成田 克（九工大）・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大） CPM2007-115 |
[more] | CPM2007-115 pp.55-58 |
| SDM | 2006-06-22 09:00 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い ～ リアルタイム光電子分光測定から ～ ○末光眞希・加藤 篤・富樫秀晃・今野篤史（東北大）・寺岡有殿・吉越章隆（原子力機構）・成田 克（九工大） |
Si(110)-16´2 表面の初期酸化過程をリアルタイム光電子分光法により評価し，Si(100)面酸化と比較した．Si... [more] | SDM2006-52 pp.61-63 |
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