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講演検索結果
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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-01-31
12:35
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割
岡 博史浅井栄大稲葉 工下方駿佑由井 斉更田裕司飯塚将太加藤公彦中山隆史森 貴洋産総研SDM2023-74
高集積量子コンピュータの実現に向けて,量子ビット制御機器の機能を集積回路化して冷凍機内部で信号の送受信を行うクライオCM... [more] SDM2023-74
pp.1-4
SDM 2023-11-10
13:10
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]極低温におけるMOSFETのノイズ源
稲葉 工岡 博史浅井栄大更田裕司飯塚将太加藤公彦下方駿佑福田浩一森 貴洋産総研SDM2023-70
量子計算機に用いられる無数の量子ビットを制御する目的で極低温動作集積回路の開発が求められている。その回路設計にむけて極低... [more] SDM2023-70
p.35
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
15:25
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源
稲葉 工岡 博史浅井栄大更田裕司飯塚将太加藤公彦下方駿佑福田浩一森 貴洋産総研SDM2023-40 ICD2023-19
極低温動作MOSFETは量子ビット制御回路への利用が期待されている。本研究は極低温動作時の低周波ノイズの起源解明を目指す... [more] SDM2023-40 ICD2023-19
pp.22-27
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2017-11-07
14:55
熊本 くまもと県民交流館パレア 情報落ちを考慮した短ビット長フォーマットによるDCNNトレーニングの検討
大内真一更田裕司高野了成産総研CPSY2017-41
16ビットよりも更に短いビット長のフォーマットによる深層畳み込みニューラルネットワークのトレーニングを実現するために、本... [more] CPSY2017-41
pp.7-12
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研SDM2016-130
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-30
13:45
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス エネルギーハーベスティング向け完全集積可能な最低入力電圧100mVの昇圧電源回路
更田裕司大内真一松川 貴産総研CPM2016-87 ICD2016-48 IE2016-82
本稿では、エネルギーハーベスティング向けの、完全集積可能な最低入力電圧100mVの昇圧電源回路について述べる。本研究では... [more] CPM2016-87 ICD2016-48 IE2016-82
pp.57-62
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
09:00
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価
大内真一柳 永勛堀 洋平入沢寿史更田裕司森田行則右田真司森 貴洋中川 格塚田順一小池汎平昌原明植松川 貴産総研SDM2016-60 ICD2016-28
 [more] SDM2016-60 ICD2016-28
pp.83-87
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
16:45
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]有機エレクトロニクスの研究動向と最新事例: 有機トランジスタを集積化したワイヤレス尿漏れ検出センサシート
更田裕司吉岡和顕横田知之雪田和歌子小泉真里関野正樹東大/JST)・関谷 毅東大/阪大/JST)・高宮 真染谷隆夫桜井貴康東大/JSTSDM2014-83 ICD2014-52
有機トランジスタを用いた回路は,機械的にフレキシブルで面積当たりの製造コストが低いという特徴を有する.近年,これらの特徴... [more] SDM2014-83 ICD2014-52
pp.115-120
ICD, ITE-IST
(連催)
2014-07-04
15:40
島根 出雲市(島根県) チャープ変調励振信号と負性抵抗ブースタによる39MHz水晶発振回路の起動時間の高速化
井口俊太更田裕司桜井貴康高宮 真東大ICD2014-28
 [more] ICD2014-28
pp.81-86
ICD, ITE-IST
(連催)
2013-07-04
10:20
北海道 サン・リフレ函館 共振周波数と独立にクロック周波数を設定可能な間欠型共振クロック分配技術
更田裕司東大)・野村昌弘半導体理工学研究センター)・高宮 真桜井貴康東大ICD2013-26
本稿では,閾値電圧近傍の非常に低い電源電圧で動作するロジック回路向けの,共振周波数と独立にクロック周波数を設定可能な間欠... [more] ICD2013-26
pp.13-18
ICD, ITE-IST
(連催)
2013-07-05
18:05
北海道 サン・リフレ函館 2V有機トランジスタを集積化した義手の制御向け1um厚の表面筋電位測定シート
更田裕司吉岡和顕篠塚康大石田光一横田知之松久直司井上雄介関野正樹関谷 毅高宮 真染谷隆夫桜井貴康東大/JSTICD2013-46
表面筋電位は,皮膚表面で観測される筋肉の動きにより生成される微弱な電気信号で,義手の制御等に用いられる.従来の筋電位測定... [more] ICD2013-46
pp.135-140
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
11:35
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]圧電フィルムによるエネルギーハーベスティングと2V有機トランジスタ回路を搭載した靴の中敷き型万歩計
石田光一黄 ツン靖本田健太郎篠塚康大更田裕司横田知之東大)・ツィーシャング ウテクラーク ハーゲンマックス・プランク研)・グレゴリー トルティシエ関谷 毅・○高宮 真年吉 洋染谷隆夫桜井貴康東大SDM2012-81 ICD2012-49
 [more] SDM2012-81 ICD2012-49
pp.99-104
ICD 2011-12-16
13:00
大阪 大阪大学会館 [招待講演]低電圧・極低電力ロジック回路技術
更田裕司東大ICD2011-128
 [more] ICD2011-128
pp.125-130
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
12:55
富山 富山県民会館 [招待講演]エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術
高宮 真石田光一更田裕司東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大SDM2011-88 ICD2011-56
エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術について示す。ロジック回路の最低可動電圧(... [more] SDM2011-88 ICD2011-56
pp.87-92
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
16:30
富山 富山県民会館 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証
更田裕司東大)・平入孝二半導体理工学研究センター)・安福 正高宮 真東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大SDM2011-95 ICD2011-63
 [more] SDM2011-95 ICD2011-63
pp.127-132
VLD 2009-03-13
11:05
沖縄 沖縄県男女共同参画センター サブスレッショルド回路における基板バイアスを考慮したトランジスタのばらつきモデリングとリングオシレータを用いた検証
更田裕司橋本昌宜密山幸男尾上孝雄阪大/JSTVLD2008-160
本稿では,90nmプロセスで試作したテストチップを用いて,サブスレッショル
ド回路における製造ばらつきのモデリングと基... [more]
VLD2008-160
pp.201-206
VLD, CAS, SIP
(共催)
2008-06-26
15:05
北海道 北海道大学 高等教育機能開発センター 基板バイアス印加レイアウト方式の面積効率と速度制御性の評価
濱本浩一更田裕司阪大)・橋本昌宜密山幸男尾上孝雄阪大/JSTCAS2008-14 VLD2008-27 SIP2008-48
製造ばらつきによる性能ばらつきを補償する手段として、基板バイアス制御が注目を集めている。将来的に一般的な性能補償技術とし... [more] CAS2008-14 VLD2008-27 SIP2008-48
pp.75-79
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