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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 11:10 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 ○河野守哉・森 海・是友大地・古田 守（高知工科大）  EID2019-16 |
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] | EID2019-16 pp.129-131 |
| OME, SDM (共催) |
2019-04-26 15:20 |
鹿児島 | 屋久島環境文化村センター | 非晶質酸化物半導体In-Ga-Zn-Oヘテロ接合チャネル薄膜トランジスタ ○古田 守・是友大地・東 龍之介・濱田秀平（高知工科大） SDM2019-6 OME2019-6 |
[more] | SDM2019-6 OME2019-6 pp.23-26 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 11:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス ○滝下雄太（龍谷大）・是友大地・曲 勇作・古田 守（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
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| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 14:30 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性 ○池口 翼・荒牧達也（龍谷大）・梅田鉄馬・上沼睦典（奈良先端大）・是友大地・曲 勇作・古田 守（高知工科大）・木村 睦（龍谷大） |
[more] | |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 13:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御 ○古田 守・アマン S G メハディ・是友大地・曲 勇作（高知工科大） SDM2018-6 OME2018-6 |
酸化物半導体をチャネル材料とした薄膜トランジスタ(TFT)は、従来の非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移... [more] | SDM2018-6 OME2018-6 pp.25-28 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ 東 龍之介・是友大地・田中宏怜（高知工科大）・髙橋誠一郎・八島 勇（三井金属鉱業）・○古田 守（高知工科大） SDM2018-7 OME2018-7 |
In–Ga–Zn–O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)は非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を有す... [more] | SDM2018-7 OME2018-7 pp.29-31 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 10:50 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ～ バックチャネルキャリア濃度の影響 ～ ○是友大地・戸田達也（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・古田 守（高知工科大） SDM2016-14 OME2016-14 |
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] | SDM2016-14 OME2016-14 pp.57-60 |
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