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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-11-11 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して ○江藤剛治（阪大）・下ノ村和弘・安藤妙子・松長誠之・廣瀬 裕（立命館大）・志村考功・渡部平司（阪大）・鎌倉良成（阪工大）・武藤秀樹（リンクリサーチ）  SDM2022-71 |
シリコン（Si）イメージセンサの理論的限界時間分解能は11.1psである1)．それ以下の時間分解能をスーパー時間分解（S... [more] | SDM2022-71 pp.32-39 |
| SDM | 2022-10-19 16:30 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | ［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 ○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2022-62 |
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている．SiC MOSFET... [more] | SDM2022-62 pp.34-37 |
| SDM | 2019-06-21 11:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価 ○細井卓治・Kidist Moges（阪大）・染谷 満（産総研）・志村考功（阪大）・原田信介（産総研）・渡部平司（阪大） SDM2019-25 |
[more] | SDM2019-25 pp.1-4 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| SDM | 2013-06-18 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響 ○細井卓治・秀島伊織・箕浦佑也・田中亮平（阪大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2013-47 |
[more] | SDM2013-47 pp.19-23 |
| SDM | 2013-06-18 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 ○細井卓治（阪大）・東雲秀司・柏木勇作・保坂重敏（東京エレクトロン）・中村亮太・中野佑紀・浅原浩和・中村 孝（ローム）・木本恒暢（京大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2013-59 |
[more] | SDM2013-59 pp.77-80 |
| SDM | 2013-06-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村 孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61 |
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more] | SDM2013-61 pp.87-90 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2012-06-21 10:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価 ○箕浦佑也・糟谷篤志・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-47 |
Geは高いキャリア移動度を有することから、次世代CMOSデバイスのチャネル材料として有望視されている。Ge-MOSのゲー... [more] | SDM2012-47 pp.23-26 |
| SDM | 2012-06-21 11:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-51 |
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として，実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる．TiN/... [more] | SDM2012-51 pp.43-46 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| SDM | 2009-06-19 10:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術 ○渡部平司・齊藤真里奈・齊藤正一朗・岡本 学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功（阪大） SDM2009-29 |
[more] | SDM2009-29 pp.15-20 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 10:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成 ○吉本千秋・大参宏昌・志村考功・垣内弘章・渡部平司・安武 潔（阪大） SDM2008-18 OME2008-18 |
現在、薄膜トランジスタに代表される大面積電子デバイスの高性能化には、大粒径多結晶Si薄膜の形成が必要とされている。我々は... [more] | SDM2008-18 OME2008-18 pp.89-94 |
| SDM | 2007-06-08 14:40 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 ○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大） SDM2007-49 |
高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o... [more] | SDM2007-49 pp.97-100 |
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