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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 ○鬼頭孝輔・加藤正史・市村正也（名工大）  ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 |
本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-... [more] | ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 pp.101-106 |
| EMD | 2007-12-21 14:30 |
東京 | 日本航空電子工業株式会社 | 光化学堆積法による室温動作水素ガスセンサの作製と評価 ○末吉哲也・井浪潤二・市村正也（名工大） EMD2007-103 |
[more] | EMD2007-103 pp.17-22 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 15:30 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes ○Masashi Kato・Kazuki Mikamo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）・Masakazu Kanechika・Osamu Ishiguro・Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs.） |
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり，GaNの大電力素子を作製する上でp型層の形成とエッチングプ... [more] | |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 15:55 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements ○Masashi Kato・Keisuke Fukushima・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）・Masakazu Kanechika・Osamu Ishiguro・Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs.） |
窒化ガリウム（GaN）は高出力，高周波デバイスへの応用が期待されており，GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-24 14:50 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価 ○福島圭亮・加藤正史・市村正也（名工大）・兼近将一・石黒 修・加地 徹（豊田中研） |
窒化ガリウム（GaN）は高出力，高周波デバイスへの応用が期待されており，GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-25 10:20 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 電気化学堆積法によるSnO2薄膜の作製 ○王 俊・市村正也（名工大） |
あらまし 電気化学堆積（ECD）法は安価な装置で薄膜の作製が可能であり、太陽電池作製の低コスト化が期待できる。我々は太... [more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-25 11:20 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価 ○加藤正史・三鴨一輝・市村正也（名工大）・兼近将一・石黒 修・加地 徹（豊田中研） |
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不... [more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-25 13:30 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Electrochemical deposition of indium sulfide thin films by periodic pulse-form biasing and their characterization ○Ashraf Mohamed Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. Technol.） |
[more] | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 14:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | 過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出 ○市村正也（名工大） |
光導電減衰法によるキャリアライフタイム測定では、過剰キャリア密度減衰曲線の後半部分に遅い成分が顕著に表れることがある。こ... [more] | ED2006-38 CPM2006-25 SDM2006-38 pp.101-106 |
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