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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 13:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）・大島 武（原子力機構）  ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 |
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が... [more] | ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 pp.7-12 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-17 14:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 ○三宅景子・安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 |
太陽光を利用した水分解による水素生成は次世代エネルギー技術として注目されており、SiCはそのための材料の候補である。この... [more] | ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 pp.93-98 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 14:35 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 電気化学堆積法と電気泳動法によるCu2O/TiO2ヘテロ接合太陽電池の作製 ○加藤義人・市村正也（名工大） ED2012-130 SDM2012-159 |
[more] | ED2012-130 SDM2012-159 pp.13-17 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 15:00 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか ○榊原宏武・和田耕司・加藤正史・市村正也（名工大） ED2012-131 SDM2012-160 |
[more] | ED2012-131 SDM2012-160 pp.19-24 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 16:20 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 光化学堆積SnO2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作 ○オ ドンボリル・森口幸久・市村正也（名工大） ED2012-24 CPM2012-8 SDM2012-26 |
光化学堆積(PCD)法を用いて不純物ドーピングありとなしのSnO2薄膜を作製し、高感度の室温動作水素ガスセンサを作製した... [more] | ED2012-24 CPM2012-8 SDM2012-26 pp.35-38 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] | ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 pp.67-72 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu2ZnSnS4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性 ○ホウ ウジスグリム・市村正也（名工大） ED2012-33 CPM2012-17 SDM2012-35 |
Cu2ZnSnS4(CZTS)はヘテロ接合太陽電池の光吸収層材料として注目されている物質である。本研究では、第一原理計算... [more] | ED2012-33 CPM2012-17 SDM2012-35 pp.79-83 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 電気化学堆積Cu2O薄膜へのH2O2処理 ○宋 瑛・市村正也（名工大） ED2012-35 CPM2012-19 SDM2012-37 |
Cu2Oはヘテロ接合型太陽電池への光吸収層として応用されている。しかし、バンドギャップが太陽電池の最適値より大きいという... [more] | ED2012-35 CPM2012-19 SDM2012-37 pp.91-94 |
| CPM | 2011-10-26 16:00 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | 光化学堆積法による新たな混晶半導体CuxZnyS薄膜の作製 ○満 都拉・市村正也（名工大） CPM2011-115 |
[more] | CPM2011-115 pp.31-36 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 09:00 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 ○楊 凱・中島佑基・市村正也（名工大） ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14 |
CuxS薄膜を電気化学堆積法(ECD法)により作製した。pH調整剤として硫酸または乳酸を用いて堆積を行った。硫酸を用いた... [more] | ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14 pp.1-6 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 10:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 ○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大） ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 |
SiCによる超高耐圧デバイス作製において，キャリアライフタイム制御は必須であるが，SiCでは表面再結合速度に関する報告が... [more] | ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17 pp.15-20 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 ○吉田敦史・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18 |
3C-SiCは低損失・高耐圧のパワーデバイスへの応用が期待されている材料である．しかし3C-SiCのパワーデバイスへの実... [more] | ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18 pp.21-26 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 ○安田智成・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19 |
太陽光を利用した水の光分解による水素生成は次世代エネルギー技術として期待されている。水の光分解材料には半導体が用いられる... [more] | ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19 pp.27-31 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 ○木村允哉・加藤正史・市村正也（名工大） ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 |
[more] | ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 pp.33-38 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | ZnO，SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池 ○服部 翔・市村正也（名工大） ED2011-31 CPM2011-38 SDM2011-44 |
タンデム型光電気化学太陽電池(T-PECセル)は，光照射に対する半導体/電解液界面での光反応を基とした湿式太陽電池である... [more] | ED2011-31 CPM2011-38 SDM2011-44 pp.157-162 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 15:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 |
Gallium-Indium-sulfide-oxide thin films were deposited onto ... [more] | ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 pp.25-30 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 16:15 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析 ○中島佑基・市村正也（名工大） ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14 |
Cu2ZnSnS4(CZTS)はヘテロ接合型太陽電池の光吸収層材料の新材料として期待されている物質である。本研究では、第... [more] | ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14 pp.31-35 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 15:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 電気化学堆積を用いた4H-SiCにおける低ショットキー障壁領域の可視化手法 ○加藤正史・小野英則・小川和也・市村正也（名工大） ED2008-108 SDM2008-127 |
4H-SiC Schottky diodes are promising devices for the applica... [more] | ED2008-108 SDM2008-127 pp.357-361 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法 ○小野英則・小川和也・加藤正史・市村正也（名工大） ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 |
4H-SiCショットキーダイオードは高速，高耐圧の整流器への応用が期待されている．しかし，SiCショットキーダイオードに... [more] | ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 pp.89-94 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 |
SiCは高出力，高周波デバイスの材料として注目されている．実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙... [more] | ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 pp.95-100 |
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