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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 15:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析 ○永田賢昌・飯田大輔・永松謙太郎・竹田健一郎・松原哲也・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）  ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 |
高In 組成GaInN は高効率多接合型太陽電池，高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LD への応用... [more] | ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 pp.57-60 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 16:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | UVレーザダイオードの動作電圧の低減 ○市川友紀・竹田健一郎・小木曽裕二・永田賢吾・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・吉田治正・桑原正和・山下陽滋・菅 博文（浜松ホトニクス） ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121 |
?族窒化物半導体AlGaNを用いた波長350nm以下の紫外(Ultraviolet : UV)レーザダイオード(Lase... [more] | ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121 pp.65-69 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 17:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 ○永田賢吾・市川友紀・竹田健一郎・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 |
Mgドープしたp型Al0.17Ga0.83Nについて，異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化し... [more] | ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 pp.75-80 |
| ED | 2009-07-30 16:15 |
大阪 | 大阪大学（銀杏会館） | p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性 ○杉山貴之・飯田大輔・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-108 |
[more] | ED2009-108 pp.33-37 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 10:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析 ○森 俊晶・浅井俊晶・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤さき 勇（名城大） ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32 |
[more] | ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32 pp.57-60 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 |
低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向... [more] | ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 pp.61-66 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 13:40 |
京都 | 京都大学 | 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価 ○渡邉浩崇・飯田一喜・竹田健一郎・永松謙太郎・住井隆文・永井哲也・クリシュナン バラクリシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・坂東 章（昭和電工） |
[more] | ED2006-168 CPM2006-105 LQE2006-72 pp.87-92 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 09:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | m面SiC基板上に成長したⅢ族窒化物半導体薄膜の微細構造観察 ○永井哲也・川島毅士・仲野靖孝・井村将隆・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） |
[more] | ED2006-29 CPM2006-16 SDM2006-29 pp.51-54 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 11:10 |
滋賀 | 立命館大学 | 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長 ○土屋法隆・クリッシュナン バラクリッシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・下野健二・野呂匡志・高木 俊（イビデン）・古庄智明（シクスオン） |
紫外発光デバイス用、高周波・高出力電子デバイス用基板としてAlN単結晶が注目されている。本研究では、昇華法を用いて、従来... [more] | ED2005-145 CPM2005-132 LQE2005-72 pp.29-34 |
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