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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 09:40 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響 ○勝野翔太・林 健人・安田俊輝・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大）  ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31 |
窒化物半導体LEDにおけるキャリアオーバーフローの一因として、ヘテロ界面に誘起する分極電荷の影響が報告されている。本報告... [more] | ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31 pp.75-80 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 10:00 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用 ○山本雄磨・村瀬卓弥・石黒真未・山田知明・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32 |
本研究では、ゲートにp型GaNを用いたAlGaN/AlNヘテロ構造電界効果トランジスタ型（HFET型）UV光センサーを作... [more] | ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32 pp.81-84 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 ○中嶋 翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101 |
我々はITO/Al反射電極、レーザリフトオフ、シリコーン封止を組み合わせることで350nm紫外LED光取り出し効率改善を... [more] | ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101 pp.11-16 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 17:05 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 ○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 |
[more] | ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 pp.57-61 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 10:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製 ○森田隆敏・加賀 充・桑野侑香・松井健城・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 |
窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改... [more] | ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 pp.59-64 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用 ○土屋貴義・梅田慎也・曽和美保子（名城大）・近藤俊行・北野 司・森 みどり・鈴木敦志・難波江宏一・関根 均（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大） ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 |
LEDおいて高い光取り出し効率が期待されるモスアイ加工サファイア基板(Moth-eye patterned sapphi... [more] | ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 pp.75-80 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 13:15 |
大阪 | 大阪市立大学 | n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 ○桑野侑香・加賀 充・森田隆敏・山下浩司・南川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 |
p-GaNでは、Mgアクセプタと水素の結合を切断し、電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方、n-GaN内には原... [more] | ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 pp.81-85 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 17:35 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 窒化物半導体太陽電池の集光特性 ○森 美貴子・山本翔太・桑原洋介・藤井崇裕・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 |
本研究では、窒化物半導体太陽電池の集光特性を評価した。ソーラーシミュレータを用いてレンズで集光し1~200sunsまで変... [more] | ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 pp.71-75 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 09:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察 ○井手公康・山本準一・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 |
AlGaN系紫外発光素子は、UV-AからUV-Cの全領域で数%を超える高性能LEDが実現されつつあり、今後広く実用化する... [more] | ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 pp.81-85 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 ○伊藤 駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 |
beta-Ga2O3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基... [more] | ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 pp.77-81 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 17:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 ○田中大樹・飯田大輔・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大） ED2011-17 CPM2011-24 SDM2011-30 |
[more] | ED2011-17 CPM2011-24 SDM2011-30 pp.83-87 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 17:30 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 ○矢木康太・加賀 充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 |
AlN/GaN多層膜は、?族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の... [more] | ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 pp.89-93 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 ○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 |
窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電... [more] | ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 pp.99-104 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 pp.105-110 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 ○竹原孝祐・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・伊藤 駿・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36 |
AlGaN系紫外発光素子の高効率化には光取り出し効率の改善が重要である。本研究では、スパッタリングによって成膜したITO... [more] | ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36 pp.117-121 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlGaN量子井戸構造の内部量子効率 ○山本準一・伴 和仁・竹田健一郎・井手公康・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38 |
様々な転位密度の下地層上にAlGaN多重量子井戸(MQWs)を作製し、励起強度変化PL法による内部量子効率(IQE)の評... [more] | ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38 pp.127-130 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製 ○中尾達郎・桑原洋介・藤山泰治・藤井崇裕・杉山 徹・山本翔太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45 |
MOVPE 法によりr面サファイア上に非極性面a面GaInN系太陽電池を作製し評価した．試料はn-GaN上に光吸収層Ga... [more] | ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45 pp.163-167 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物太陽電池の電極構造検討 ○山本翔太・森田義己・桑原洋介・藤井崇裕・杉山 徹・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46 |
太陽電池の性能向上には光の取り込み効率の最適化が不可欠であり、本研究ではグリッド電極を用いることによってその向上を目指し... [more] | ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46 pp.169-173 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大） ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 |
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] | ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 pp.175-178 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 17:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 ○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 |
ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)のチャネル層にGaInN を用いることにより、高いバンドオフセットを持つこと、... [more] | ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 pp.179-183 |
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