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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-07 14:15 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析 ○浅井栄大・張 文馨・岡田直也・福田浩一・入沢寿史（産総研）  SDM2019-37 ICD2019-2 |
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン グを実... [more] |
SDM2019-37 ICD2019-2 pp.7-10 |
| SDM | 2019-02-07 15:30 |
東京 | 東京大学/本郷 工学部４号館 42講義室 | ［招待講演］微細CMOS向け新コンタクト材料：クラスター気相合成法で形成したSiリッチWシリサイド膜 ○岡田直也・内田紀行・小川真一・金山敏彦（産総研） SDM2018-96 |
[more] | SDM2018-96 pp.23-26 |
| SDM | 2018-02-08 10:05 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］クラスター気相合成法で形成したWSin (n=12)挿入膜を用いたCu直接コンタクト ○岡田直也・内田紀行・小川真一・遠藤和彦・金山敏彦（産総研） SDM2017-97 |
[more] | SDM2017-97 pp.1-4 |
| IPSJ-SLDM, VLD (連催) |
2012-05-30 15:20 |
福岡 | 北九州国際会議場 | 状態遷移の解析に基づく磁気フリップフロップ書き込み制御手法 ○岡田直也（早大）・中村祐一（NEC）・木村晋二（早大） VLD2012-3 |
本稿では，不揮発性磁気フリップフロップ（MFF）に対する書き込み制御手法を提案する．MFFにより，LSIの論理回路部分の... [more] | VLD2012-3 pp.13-18 |
| ET | 2012-01-21 13:20 |
千葉 | 千葉工業大学 | 無線LAN対応の携帯情報端末や多機能情報端末による先端的学習支援 ～ iPod touchやiPadを使った教育アプリケーションの開発 ～ ○笹岡勇佑・今井一雅・岡田直也（高知高専） ET2011-92 |
高知高専では，文部科学省の平成21 年度大学教育推進プログラムで採択された「自己成長力を加速する次世代ICT 活用教育」... [more] | ET2011-92 pp.21-24 |
| VLD | 2011-03-04 14:25 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | 次状態関数処理に基づく高速不揮発メモリに対する書き込み最適化 ○岡田直也（早大）・中村祐一（NEC）・木村晋二（早大） VLD2010-144 |
消費電力削減の観点から，MRAMやPCMなどの高速不揮発メモリが注目されている．しかし，高速不揮発メモリには，書き込み動... [more] | VLD2010-144 pp.165-170 |
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