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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| AP, MW (併催) |
2017-09-22 14:25 |
埼玉 | 埼玉大学 | MIM共振器型基本波高調波同時整合回路を適用したC-X帯20W級GaN MMIC高効率広帯域増幅器 桑田英悟・○二宮 大・津波大介・木村実人・山中宏治（三菱電機）  MW2017-76 |
[more] | MW2017-76 pp.47-52 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 11:20 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ ○幸丸竜太・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） ED2016-106 MW2016-182 |
GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する． 本スイッチにはSi基板上に... [more] | ED2016-106 MW2016-182 pp.53-56 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル ○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2016-107 MW2016-183 |
[more] | ED2016-107 MW2016-183 pp.57-62 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ～ TCADシミュレーションによる検討 ～ ○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2016-108 MW2016-184 |
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が，GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流，ゲートリーク電流... [more] | ED2016-108 MW2016-184 pp.63-68 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 低コスト送信器向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器 ○神岡 純・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） ED2016-109 MW2016-185 |
[more] | ED2016-109 MW2016-185 pp.69-73 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 ○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機） ED2016-110 MW2016-186 |
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている．この高電圧半導体にマッチした，小型な回路でインピーダ... [more] | ED2016-110 MW2016-186 pp.75-79 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 ○河村由文・半谷政毅・水谷知大・富山賢一・山中宏治（三菱電機） ED2016-111 MW2016-187 |
短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器で... [more] | ED2016-111 MW2016-187 pp.81-84 |
| MW | 2016-11-17 14:30 |
佐賀 | 佐賀大学 | 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル ○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） MW2016-122 |
基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデルを提案する．提案モデルではバッファ... [more] | MW2016-122 pp.33-38 |
| MW | 2016-11-17 14:55 |
佐賀 | 佐賀大学 | GaN増幅器モジュールを用いた産業用マイクロ波加熱装置 ○弥政和宏・山中宏治・塩出剛士・水谷浩之・津留正臣・河村由文・吉岡貴章・小松崎優治・山口裕太郎・中谷圭吾・幸丸竜太・森 一富・福本 宏（三菱電機） MW2016-123 |
NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)からの委託事業「クリーンデバイス社会実装推進事業／省エネルギー社会を実現す... [more] | MW2016-123 pp.39-42 |
| EMCJ, MW, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2016-10-20 11:20 |
宮城 | 東北大学 | 5Gにおける高SHF帯・広帯域Massive MIMO向けRFフロントエンド増幅器モジュール ○中谷圭吾・新庄真太郎・小松崎優治・神岡 純・幸丸竜太・中溝英之・宮脇勝巳・山中宏治（三菱電機） EMCJ2016-64 MW2016-96 EST2016-60 |
3段送信用増幅器(PA)，2段低雑音増幅器(LNA)およびスイッチ(SW)の各チップを集積・実装した第5世代移動通信(5... [more] | EMCJ2016-64 MW2016-96 EST2016-60 pp.25-30 |
| AP, MW (併催) |
2016-09-16 09:20 |
茨城 | 産総研 | 0.15um GaN HEMTを用いた効率60%，出力30W X帯電力増幅器と効率33%，出力100W Ku帯電力増幅器 ○鳥居拓真・今井翔平・前原宏昭・國井徹郎・森本卓男・湯之上則弘・宮下美代・宮崎泰典・津山祥紀・山中宏治・福本 宏（三菱電機） MW2016-83 |
[more] | MW2016-83 pp.53-57 |
| EMT, MW, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-07-17 13:25 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | Tanh関数を用いたドハティアンプの動的AM/AM-AM/PM制御 ○小松崎優治・大塚浩志・能登一二三・新庄真太郎・山中宏治・濱松美博・福本 宏（三菱電機） EMT2015-47 MW2015-85 OPE2015-59 EST2015-51 MWP2015-50 |
PAPRの大きい信号を高効率で増幅する増幅器としてドハティアンプは有用であるが，動作級の異なる2つのアンプを並列接続して... [more] | EMT2015-47 MW2015-85 OPE2015-59 EST2015-51 MWP2015-50 pp.227-232 |
| MW | 2015-05-28 13:50 |
東京 | 電気通信大 | マイクロ波加熱用GaN-on-Siトランジスタの大信号モデル ○クリスター アンダーソン・山口裕太郎・弥政和宏・河村由文・坂田修一・山中宏治・福本 宏（三菱電機） MW2015-21 |
マイクロ波加熱に使用するGaNonSiトランジスタの大信号モデルについて報告する。マイクロ波加熱ではCW動作を行うため、... [more] | MW2015-21 pp.1-5 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 山口修造・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 |
GaNショットキーバリアダイオード(SBD)を高電力で使用する場合，逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。... [more] | ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 pp.35-39 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］社会インフラシステムのなかのGaNデバイス ○山中宏治（三菱電機） ED2014-124 MW2014-188 |
[more] | ED2014-124 MW2014-188 pp.41-46 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2014-129 MW2014-193 |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] | ED2014-129 MW2014-193 pp.71-76 |
| MW | 2014-11-20 13:25 |
長崎 | 長崎大 | マルチバンド電力増幅器向け広帯域受信帯雑音抑圧回路 ○河村由文・新庄真太郎・弥政和宏・廣部正和・嘉藤勝也・高橋貴紀・山部滋生・堀口健一・檜枝護重・山中宏治（三菱電機） MW2014-129 |
送信機と受信機に異なる周波数バンドを割り当てるFDDシステムでは、送信機の電力増幅器(PA: Power Amplifi... [more] | MW2014-129 pp.33-36 |
| MW | 2014-11-20 13:50 |
長崎 | 長崎大 | Optimization of two-cell distributed power amplifiers ○Christer Andersson・Eigo Kuwata・Koji Yamanaka（Mitsubishi Electric） MW2014-130 |
本論文では、2つの独立したRF入力信号を有した2セル分散型電力増幅器を最適化する ためのマルチ・ハーモニック数値計算手... [more] |
MW2014-130 pp.37-41 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:00 |
北海道 | 室蘭工業大 | 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器 ○坂田修一・桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・小山英寿・加茂宣卓・福本 宏（三菱電機） MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 |
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を... [more] | MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 pp.1-5 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:25 |
北海道 | 室蘭工業大 | 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・坂田修一・小山英寿・加茂宣卓・安藤晃洋・中原和彦・福本 宏（三菱電機） MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 |
[more] | MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 pp.7-10 |
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