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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-01-28 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Hf1-xZrxO2強誘電体トンネル接合を用いた強化学習 ～ ばらつき制御による性能向上 ～ ○太田健介・山口まりな（キオクシア）・ラドゥ ベルダン・丸亀孝生・西 義史（東芝）・松尾和展・高橋恒太・神谷優太・宮野信治・出口 淳・藤井章輔・齋藤真澄（キオクシア）  SDM2019-84 |
Hf1-xZrxO2を用いた強誘電体トンネル接合において、メモリ内演算による強化学習性能を最大化するための構造及び組成に... [more] | SDM2019-84 p.9 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 10:55 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］TFET（トンネルトランジスタ）のコンパクトモデル実装と超低消費電力回路応用検討 ○田中千加・外園 明・安達甘奈・後藤正和・近藤佳之・杉崎絵美子・藤松基彦・原 浩幸・宮野信治・櫛田桂一・川中 繁（東芝） SDM2015-59 ICD2015-28 |
[more] | SDM2015-59 ICD2015-28 pp.11-13 |
| ICD | 2014-04-18 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発 ○福田寿一・小原弘治・堂坂利彰・武山泰久・緑川 剛（東芝）・橋本健二・脇山一郎（TOSMEC）・宮野信治・北城岳彦（東芝） ICD2014-12 |
65nmテクノロジーで128kbの低リークSRAMを開発し保持モードの待機時電流3.5nA（27fA/b）を達成した。q... [more] | ICD2014-12 pp.59-64 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SRAMセル安定性指標パラメータの検討：ノイズマージンかVminか? ○Anil Kumar・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2013-74 ICD2013-56 |
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして，ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した．NMと... [more] | SDM2013-74 ICD2013-56 pp.43-46 |
| ICD | 2013-04-12 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄 篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2013-20 |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] | ICD2013-20 pp.103-108 |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［ポスター講演］局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束 ○小林大介・宮地幸祐（中大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（中大） ICD2012-94 |
6T-SRAMにおいて，しきい値電圧（VTH）のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため，パスゲートトランジ... [more] | ICD2012-94 p.31 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 09:35 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・梅木洋平・奥村俊介（神戸大）・川澄 篤・鈴木利一・森脇真一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2012-64 ICD2012-32 |
[more] | SDM2012-64 ICD2012-32 pp.7-12 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 10:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術 ○クマール アニール・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2012-65 ICD2012-33 |
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより，SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] | SDM2012-65 ICD2012-33 pp.13-16 |
| ICD | 2012-04-23 17:00 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［パネル討論］”復興”メモリと日本の明日に向かって ○宮野信治（半導体理工学研究センター）・佐々木 淳（岩手県庁）・大石基之（日経BP）・松永翔雲（東北大）・竹内 健（中大）・助川 博（東芝） ICD2012-6 |
[more] | ICD2012-6 p.29 |
| ICD | 2012-04-24 13:00 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 ○宮地幸祐（東大）・鈴木利一（パナソニック）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2012-12 |
[more] | ICD2012-12 pp.61-66 |
| ICD | 2012-04-24 13:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM ○森脇真一・川澄 篤（半導体理工学研究センター）・鈴木利一（パナソニック）・山本安衛・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2012-13 |
[more] | ICD2012-13 pp.67-71 |
| ICD | 2012-04-24 14:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・奥村俊介（神戸大）・鈴木利一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2012-14 |
本論文では，低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する．提案技術は，プリチャージレスイコ... [more] | ICD2012-14 pp.73-78 |
| ICD | 2011-04-19 11:20 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM ○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） ICD2011-12 |
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] | ICD2011-12 pp.65-70 |
| ICD | 2011-04-19 11:45 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 ○宮地幸祐・本田健太郎・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2011-13 |
SRAMのVTHのばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため，6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所... [more] | ICD2011-13 pp.71-76 |
| ICD | 2010-12-16 09:30 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 ○本田健太郎・宮地幸祐・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2010-95 |
8T-SRAMのアクセストランジスタをに局所的に電子を局所的に注入することによってしきい値電圧を非対称にし、ハーフセレク... [more] | ICD2010-95 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 13:45 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） SDM2010-145 ICD2010-60 |
本論文ではプロセス後にSRAMセルのパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に電子を局所的に注入す... [more] | SDM2010-145 ICD2010-60 pp.115-120 |
| SDM | 2010-06-22 15:15 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） SDM2010-44 |
本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入するこ... [more] | SDM2010-44 pp.61-65 |
| ICD | 2008-04-17 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM ○加来真理子・岩井 斎・永井 健・和田政春・鈴木 淳・高井智久・糸賀尚子・宮崎隆行・岩井隆之（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治・大塚伸朗（東芝） ICD2008-3 |
本報告書で紹介するeDRAMはグラフィックス用途向けに開発された疑似2ポートeDRAMである。リードライトクロスポイント... [more] | ICD2008-3 pp.13-18 |
| ICD | 2006-04-13 09:45 |
大分 | 大分大学 | リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM ○高井智久・永井 健・和田政春・岩井 斎・加来真理子・鈴木 淳・糸賀尚子・宮崎隆行（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治（東芝） |
混載DRAMにおけるデータ保持電力を削減するために、オンチップECC回路とMT-CMOS技術を用いて実現されるリテンショ... [more] | ICD2006-2 pp.7-12 |
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