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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ET | 2023-10-21 14:40 |
長野 | 信州大学工学部 | 初等教育でのタブレット端末の評価 ～ 算数授業での行動ログ分析 ～ ○小林眞夢・長谷川彩乃（群馬大）・安藤 裕（宮城大）・小泉健輔・澤田麻衣子・柴田博仁（群馬大）  ET2023-21 |
本稿では，授業でのタブレット端末の利用が小学生児童の学びや行動に与える影響を定量的に評価する．実験は参加者間1要因計画で... [more] | ET2023-21 pp.19-26 |
| WPT, EE (併催) |
2020-10-07 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 ○高橋英匡・安藤裕二（名大）・土屋洋一・分島彰男（名工大）・林 宏暁・柳生栄治（三菱電機）・桔川洸一・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）・須田 淳（名大） WPT2020-19 |
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] | WPT2020-19 pp.1-5 |
| MI | 2015-03-03 13:40 |
沖縄 | 石垣島 ホテルミヤヒラ | GPUを使った3次元非線形レジストレーションの精度および速度評価 ○二田晴彦（みずほ情報総研）・永田 毅（みずほ情報総研/筑波大）・前川秀正（みずほ情報総研）・谷川琢海（旭川医科大）・石津浩一（京大）・向井まさみ（放射線医学総研）・上村幸司（香川大）・鎌田 正（放射線医学総研）・関 昌佳（グローバル・フォー）・安藤 裕（放射線医学総研） MI2014-106 |
腫瘍再発のため近傍部位に複数回放射線治療を行う場合，過去の線量分布となるべく重複しないように治療計画を立てる必要がある．... [more] | MI2014-106 pp.259-263 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2015-01-23 15:45 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | シリコンスピンMOSFETの室温動作の達成 ○田原貴之（京大）・佐々木智生（TDK）・安藤裕一郎（京大）・亀野 誠（阪大）・小池勇人・及川 亨（TDK）・鈴木淑男（AIT）・白石誠司（京大） MR2014-43 |
現在のエレクトロニクスデバイスの中心を成すCMOSトランジスタ技術はその微細化と集積化を伴って発展してきた. しかし近年... [more] | MR2014-43 pp.19-24 |
| MI | 2014-01-27 14:55 |
沖縄 | 沖縄ぶんかテンブス館 | ITKツールを用いた3次元非線形位置合わせ手法による複数回放射線治療の線量分布合成に関する精度評価 ○谷川琢海（旭川医科大）・上村幸司（香川大）・向井まさみ・横岡由姫・奥田保男（放射線医学総研）・石津浩一（京大）・石井茂如・池田 智（東芝メディカルシステムズ）・関 昌佳（グローバル・フォー）・安藤 裕（放射線医学総研） MI2013-122 |
腫瘍再発のため近接部位に複数回放射線治療を行う場合，放射線障害のリスク低減のため，過去の線量分布となるべく重複しない治療... [more] | MI2013-122 pp.347-350 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2014-01-24 14:55 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | Fe3Siを用いた動力学的手法による高効率スピン注入の実現 ○市場昂基・安藤裕一郎（阪大）・山田晋也（九大）・仕幸英治（阪市大）・新庄輝也（阪大）・浜屋宏平（九大）・白石誠司（阪大） MR2013-36 |
近年, エネルギー損失のない情報伝達の手段として, 純スピン流の制御が大きな注目を浴びている. 一般的なスピン生成手法で... [more] | MR2013-36 pp.21-24 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2014-01-24 15:20 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | LaAlO3/SrTiO3界面へのスピン注入 ○大島 諒・安藤裕一郎・新庄輝也（阪大）・松崎功佑・須崎友文（東工大）・白石誠司（京大） MR2013-37 |
[more] | MR2013-37 pp.25-28 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2013-01-25 16:40 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入 ○小池真利子・仕幸英治・安藤裕一郎・新庄輝也（阪大）・山田晋也・浜屋宏平（九大）・白石誠司（阪大） MR2012-43 |
ゲルマニウム(Ge)は半導体の中でも高い電界効果移動度を有する材料であり、かつ、その結晶成長技術の向上により、近年、CM... [more] | MR2012-43 pp.25-28 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2013-01-25 17:05 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | C60-Coグラニュラー薄膜中におけるCoナノ粒子の電気磁気効果による巨大な磁気抵抗効果 ○豊川修平・田村英一・仕幸英治・新庄輝也・安藤裕一郎（阪大）・ラザロフ ヴラド・廣畑貴文（ヨーク大）・白石誠司（阪大） MR2012-44 |
C60-Coグラニュラー薄膜はC60マトリクス中に単磁区構造を持つCo微粒子が分散した構造をした超常磁性体である。これま... [more] | MR2012-44 pp.29-32 |
| MI | 2010-01-28 11:40 |
沖縄 | 那覇市ぶんかテンブス館 | 複数回の放射線治療における治療計画支援システムの構築 ～ 3次元FFDによるRegistrationの精度評価 ～ ○谷川琢海・安藤 裕（放射線医学総研）・上村幸司（川崎医療福祉大）・向井まさみ（放射線医学総研）・増澤 高・長田雅和（東芝メディカルシステムズ）・塚本信宏（埼玉医科大）・川口 修（慶大） MI2009-92 |
本研究の目的は，放射線治療の線量分布を位置合わせすることによって，より安全な治療計画の立案を可能にする次世代の放射線治療... [more] | MI2009-92 pp.93-96 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET ○大田一樹・遠藤一臣・岡本康宏・安藤裕二・宮本広信・嶋脇秀徳（NEC） ED2009-189 MW2009-172 |
パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した．... [more] | ED2009-189 MW2009-172 pp.81-85 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | CW20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器 ○村瀬康裕・分島彰男・井上 隆・山之口勝己・田能村昌宏・中山達峰・岡本康宏・大田一樹・安藤裕二・黒田尚孝・松永高治・宮本広信（新機能素子研究開発協会/NEC） ED2007-212 MW2007-143 |
AlGaN/GaNトランジスタを用いた準ミリ波帯高出力増幅器モジュールを作製した。電流コラプスを抑え高出力化を図るため、... [more] | ED2007-212 MW2007-143 pp.33-38 |
| SDM | 2007-12-14 14:10 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 ○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野 守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大） SDM2007-230 |
ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて，エピタキシャル成長したFe3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した．軸配... [more] | SDM2007-230 pp.35-38 |
| ED, SDM, R (共催) |
2006-11-24 14:10 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | β-FeSi2のイオンビーム合成：アニールによるSi空孔の変化 ○上西隆文・安藤裕一郎・前田佳均（京大） |
[more] | R2006-33 ED2006-178 SDM2006-196 pp.11-14 |
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