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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2011-10-21 10:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸（東北大）・木下豊彦・室隆桂之（高輝度光科学研究センター）・服部健雄・大見忠弘（東北大）  SDM2011-105 |
酸素ラジカルおよび酸素分子で形成したSiO2膜について、Si 2pからの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを測定し、Si... [more] | SDM2011-105 pp.49-52 |
| SDM | 2011-10-21 15:25 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高純度有機金属ガス供給システムに関する研究 ○山下 哲・石井秀和・志波良信・北野真史・白井泰雪・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-112 |
半導体製造プロセスにおいてプロセスガスの流量制御は基板表面におけるガス組成やチャンバ圧力を決定する重要なファクターである... [more] | SDM2011-112 pp.85-90 |
| SDM | 2011-10-21 15:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | TSVを用いた3次元FPGAの性能評価 ○宮本直人（東北大）・松本洋平（東京海洋大）・小池汎平（産総研）・松村忠幸・長田健一・中川八穂子（超先端電子技術開発機構）・大見忠弘（東北大） SDM2011-113 |
近年，微細化に替わる集積化技術の１つとして３次元積層技術の研究が盛んに行われている．中でも規則的構造を持つリコンフィギュ... [more] | SDM2011-113 pp.91-96 |
| SDM | 2011-10-21 16:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高精密三次元実装にむけた、アルカリエッチングによるシリコン貫通電極形成技術 ○吉川和博（プレテックAT）・吉田達朗・添田一喜・平塚亮輔・大見忠弘（東北大） SDM2011-114 |
[more] | SDM2011-114 pp.97-100 |
| SDM, ED (共催) (第二種研究会) |
2011-06-29 - 2011-07-01 |
海外 | Legend Hotel | Clear Difference between the Chemical Structure of SiO2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals and Oxygen Molecules ○Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi・Takeo Hattori（Tohoku Univ.） |
[more] | |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2011-01-20 11:00 |
神奈川 | 慶応大学（日吉） | ホモジニアス・タイル構造3次元FPGAの性能評価 ○宮本直人（東北大）・小池帆平（産総研）・松本洋平（東京海洋大）・松村忠幸・長田健一・中川八穂子・十山圭介（超先端電子技術開発機構）・大見忠弘（東北大） |
さまざまな３次元FPGA構造を扱うことができる自由度の高い配置配線CADツールを開発した．このツールを用いて幾つかのホモ... [more] | ICD2010-130 pp.13-18 |
| SDM | 2010-11-11 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 ○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2010-174 |
MOSFETにおけるRandom Telegraph Signal (RTS)の振幅，時定数等，重要なパラメータは一つ一... [more] | SDM2010-174 pp.17-22 |
| SDM | 2010-10-21 17:10 |
宮城 | 東北大学 | ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成 ○田中宏明・黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2010-157 |
[more] | SDM2010-157 pp.25-30 |
| SDM | 2010-10-22 13:40 |
宮城 | 東北大学 | Integration of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon into Advanced Cu Interconnects ○Xun Gu・Takenao Nemoto・Yugo Tomita・Akinobu Teramoto・Shin-Ichiro Kuroki・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） SDM2010-165 |
[more] | SDM2010-165 pp.53-56 |
| SDM | 2010-10-22 14:50 |
宮城 | 東北大学 | 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-167 |
Si 2pとO 1sの内殻準位および価電子帯からの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを脱出深さを揃えて測定し、Oラジカル... [more] | SDM2010-167 pp.61-65 |
| SDM | 2010-10-22 16:20 |
宮城 | 東北大学 | 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-170 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] | SDM2010-170 pp.71-75 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-93 SDM2010-94 |
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] | ED2010-93 SDM2010-94 pp.183-188 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance ○Yukihisa Nakao・Rihito Kuroda・Hiroaki Tanaka・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-119 SDM2010-120 |
[more] | ED2010-119 SDM2010-120 pp.303-308 |
| SDM | 2009-10-29 14:00 |
宮城 | 東北大学 | n+-、p+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ ○中尾幸久・黒田理人・田中宏明・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2009-117 |
MOSFETにおけるソース・ドレイン電極の直列抵抗を低減するために、ソース・ドレイン領域に、低コンタクト抵抗を有するシリ... [more] | SDM2009-117 pp.1-6 |
| SDM | 2009-10-29 15:30 |
宮城 | 東北大学 | 3次元チップ積層のためのウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術 ○吉川和博・大橋朋貢・吉田達朗・根本剛直・大見忠弘（東北大） SDM2009-120 |
3次元チップ積層は、半導体の新たな技術として開発が進められている。この3次元チップ積層と貫通電極(TSV)には、シリコン... [more] | SDM2009-120 pp.15-19 |
| SDM | 2009-10-29 16:15 |
宮城 | 東北大学 | Tribological Study for Low Shear Force CMP Process on Damascene Interconnects ○Xun Gu・Takenao Nemoto（Tohoku Univ.）・Yasa Adi Sampurno（Univ. of Arizona/Araca,Inc.）・Jiang Cheng・Sian Theng（Araca,Inc.）・Akinobu Teramoto（Tohoku Univ.）・Ricardo Duyos Mateo・Leonard Borucki（Araca,Inc.）・Yun Zhuang・Ara Philipossian（Univ. of Arizona/Araca,Inc.）・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） SDM2009-121 |
[more] | SDM2009-121 pp.21-26 |
| SDM | 2009-10-29 17:15 |
宮城 | 東北大学 | 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 ○藤澤孝文・阿部健一・渡部俊一・宮本直人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2009-123 |
MOSFETの微細化，低ノイズデバイス作製のために，RTSノイズを抑制することが必要である．本報告では短時間で多数個のR... [more] | SDM2009-123 pp.31-36 |
| SDM | 2009-10-30 13:30 |
宮城 | 東北大学 | Low frequency noise in Si(100) and Si(110) p-channel MOSFETs ○Philippe Gaubert・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） SDM2009-130 |
[more] | SDM2009-130 pp.57-62 |
| SDM | 2009-10-30 15:45 |
宮城 | 東北大学 | ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室隆桂之・加藤有香子（高輝度光科学研究センター） SDM2009-134 |
ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面における組成遷移層の原子構造および価電子帯レベルオフセットの面方位依存性を... [more] | SDM2009-134 pp.77-80 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies ○Kenichi Abe・Takafumi Fujisawa・Akinobu Teramoto・Syunichi Watabe・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2009-57 SDM2009-52 |
[more] | ED2009-57 SDM2009-52 pp.29-32 |
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