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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-10-21 16:10 |
宮城 | 東北大学 | Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大）  SDM2010-155 |
[more] | SDM2010-155 pp.17-20 |
| SDM | 2010-10-21 16:40 |
宮城 | 東北大学 | Effect of ultra-thin Yb layer on n-type characteristics of pentacene based MOS diodes ○Young-uk Song・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2010-156 |
[more] | SDM2010-156 pp.21-24 |
| SDM | 2010-10-22 13:10 |
宮城 | 東北大学 | Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field-effect transistors ○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2010-164 |
[more] | SDM2010-164 pp.49-52 |
| SDM | 2010-10-22 14:10 |
宮城 | 東北大学 | ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成 ○佐野貴洋・大見俊一郎（東工大） SDM2010-166 |
[more] | SDM2010-166 pp.57-60 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer ○Young uk Song・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） ED2010-60 SDM2010-61 |
[more] | ED2010-60 SDM2010-61 pp.43-46 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 11:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Modulation of PtSi work function by alloying with low work function metal ○Jun Gao・Jumpei Ishikawa・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） ED2010-91 SDM2010-92 |
[more] | ED2010-91 SDM2010-92 pp.173-176 |
| SDM | 2009-10-29 14:30 |
宮城 | 東北大学 | 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2009-118 |
400℃/60 minで形成したPtxHfySiの耐熱性を改善するため、2段階シリサイド化プロセスに関する検討を行った。... [more] | SDM2009-118 pp.7-10 |
| SDM | 2009-10-29 15:00 |
宮城 | 東北大学 | ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成 ○佐野貴洋・大西峻人・大見俊一郎（東工大） SDM2009-119 |
[more] | SDM2009-119 pp.11-14 |
| SDM | 2009-10-30 11:00 |
宮城 | 東北大学 | Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures ○Young-Uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2009-127 |
[more] | SDM2009-127 pp.43-46 |
| SDM | 2008-10-10 13:30 |
宮城 | 東北大学 | Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2008-162 |
PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行... [more] | SDM2008-162 pp.41-44 |
| SDM | 2008-03-14 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) ○尹 珠元・大見俊一郎・石原 宏（東工大） SDM2007-275 |
[more] | SDM2007-275 pp.13-16 |
| SDM | 2007-10-04 16:30 |
宮城 | 東北大学 | ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討 ○仲野雄介・佐藤雅樹・大見俊一郎（東工大） SDM2007-178 |
HfN膜のECR-Ar/O$_{2}$プラズマ酸化により形成したHfO$_{x}$N$_{y}$薄膜の極薄膜化に関する検... [more] | SDM2007-178 pp.19-22 |
| SDM | 2007-10-05 14:00 |
宮城 | 東北大学 | SBSI プロセスによるSOI/BOX 層の均一形成に関する検討 ○野武幸輝・須田雄一郎・大見俊一郎（東工大） SDM2007-188 |
本研究では、SBSIプロセスによる均一なSOI/BOX層の作製を目的として、SiGe選択エッチング時におけるSi層へのダ... [more] | SDM2007-188 pp.49-52 |
| SDM | 2007-10-05 14:25 |
宮城 | 東北大学 | Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御 ○大見俊一郎・高 峻・仲野雄介（東工大） SDM2007-189 |
Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御に関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後に、窒素中... [more] | SDM2007-189 pp.53-56 |
| SDM | 2006-06-22 12:45 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成 ○大見俊一郎・黒瀬朋紀・佐藤雅樹（東工大） |
[more] | SDM2006-58 pp.93-97 |
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