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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2017-10-25 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大）  SDM2017-54 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2017-54 pp.25-30 |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-20 16:45 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討 ○大見俊一郎・廣木瑞葉・張 鴻立・前田康貴（東工大） SDM2017-4 OME2017-4 |
有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示し、将来のフレキシブルエレクト... [more] | SDM2017-4 OME2017-4 pp.15-18 |
| SDM | 2016-10-27 10:25 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響 ○前田康貴・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2016-74 |
フレキシブルデバイスやTFTなどへの応用が期待されている代表的なp型有機半導体のペンタセンは、薄膜の結晶性が下層材料の表... [more] | SDM2016-74 pp.31-34 |
| SDM | 2016-10-27 11:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2016-76 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリ構造として、高集積化に適したMONOS型不揮発性メモリが注目されている。本研究で... [more] | SDM2016-76 pp.39-44 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 12:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | ［招待講演］低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性 ○大見俊一郎・前田康貴・古山 脩・廣木瑞葉（東工大） SDM2016-3 OME2016-3 |
ペンタセンやルブレンを用いた有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示す... [more] | SDM2016-3 OME2016-3 pp.11-15 |
| SDM | 2015-10-29 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2015-72 |
超高純度Arを用いた高清浄雰囲気における熱処理により、Si表面を原子レベルで平坦化できることが報告されている。本研究では... [more] | SDM2015-72 pp.7-12 |
| SDM | 2015-10-30 13:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・大見俊一郎（東工大） SDM2015-80 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは下層材料や堆積温度により、グレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2015-80 pp.49-52 |
| SDM | 2015-10-30 15:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering ○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2015-82 |
[more] | SDM2015-82 pp.57-62 |
| SDM | 2014-10-16 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 開放型熱処理装置を用いたSi表面平坦化プロセスの検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2014-86 |
超高純度Arを用いた高清浄雰囲気における熱処理により、Si表面を原子レベルで平坦化できることが報告されている。本研究では... [more] | SDM2014-86 pp.13-17 |
| SDM | 2014-10-16 16:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | Electrical characteristics of as-deposited HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering ○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（TokyoTech） SDM2014-87 |
[more] | SDM2014-87 pp.19-22 |
| SDM | 2013-10-17 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110) ○Nithi Atthi・Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2013-89 |
[more] | SDM2013-89 pp.5-9 |
| SDM | 2013-10-17 15:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2013-90 |
[more] | SDM2013-90 pp.11-14 |
| SDM | 2013-10-18 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 ○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大） SDM2013-93 |
低仕事関数を有するLaB6は，窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている．本研究では窒素添加したLaB6... [more] | SDM2013-93 pp.27-31 |
| SDM | 2012-10-26 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator ○Min Liao（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroshi Ishiwara（Konkuk Univ.）・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2012-95 |
[more] | SDM2012-95 pp.33-36 |
| SDM | 2012-10-26 13:25 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2012-96 |
[more] | SDM2012-96 pp.37-40 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Effect of Si surface roughness on EOT reduction for HfON gate insulator formed by ECR plasma oxidation of HfN ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） |
[more] | |
| SDM | 2011-10-20 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2011-100 |
[more] | SDM2011-100 pp.17-20 |
| SDM | 2011-10-21 11:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | 混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討 ○大見俊一郎（東工大） SDM2011-107 |
[more] | SDM2011-107 pp.59-62 |
| SDM | 2011-10-21 11:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of peripheral region on the electrical properties of pentacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator ○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2011-108 |
[more] | SDM2011-108 pp.63-66 |
| SDM | 2010-10-21 15:30 |
宮城 | 東北大学 | Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構 ○石川純平・高 峻・大見俊一郎（東工大） SDM2010-154 |
極微細CMOSの拡散層における超低コンタクト抵抗の実現を目的として、Yb混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を... [more] | SDM2010-154 pp.13-16 |
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