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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EE | 2023-01-19 14:15 |
福岡 | 九州工業大学（戸畑キャンパス 附属図書館AVホール） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］持続可能な未来とパワーエレクトロニクス ○大村一郎（九工大）  EE2022-37 |
[more] | EE2022-37 pp.59-66 |
| EE | 2023-01-20 11:00 |
福岡 | 九州工業大学（戸畑キャンパス 附属図書館AVホール） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Single PCB current sensor for feedback control in the switch mode power converters ○Bayarkhuu Battuvshin・Ichiro Omura（KIT） EE2022-45 |
本稿では、PCB技術で作製したロゴスキ電流センサをインバータ出力電流センサとして用いフィードバック制御を行った技術につい... [more] | EE2022-45 pp.107-110 |
| EE | 2023-01-20 11:25 |
福岡 | 九州工業大学（戸畑キャンパス 附属図書館AVホール） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Online junction temperature measurement of Power MOSFET by dynamic VGS-ID monitoring system ○Yandagkhuu Bayarsaikhan・Ichiro Omura（KIT） EE2022-46 |
パワーエレクトロニクス・システムの高信頼性への要求が高まる中，パワーデバイスのオンライン状態監視は極めて重要なものとなっ... [more] | EE2022-46 pp.111-116 |
| EE | 2022-01-28 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | パワーサイクル試験のDUT温度係数依存性 ○秋元健志・大村一郎（九工大） EE2021-48 |
パワーサイクル試験はパワー半導体の信頼性試験法の一つである。試験デバイス(DUT: Device Under Test)... [more] | EE2021-48 pp.96-99 |
| EE | 2021-01-25 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 (Zoom) | MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化 ○西尾貴植・大村一郎（九工大） EE2020-31 |
パワー半導体を用いたスイッチング電源やモータドライブなどの高速スイッチング回路では、急峻に立ち上がる電圧によるセルフター... [more] | EE2020-31 pp.43-46 |
| WPT, EE (併催) |
2019-10-10 16:30 |
滋賀 | 龍谷大学瀬田キャンパス RECホール (小ホール) | 太陽光発電を有する需要家の正味負荷の長期変動性を考慮した蓄電池の最適運用戦略に関する検討 ○湯淺一史（九工大）・植嶋美喜・馬場﨑忠利（NTTファシリティーズ）・大村一郎（九工大） EE2019-35 |
[more] | EE2019-35 pp.53-57 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 10:25 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［依頼講演］5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作 ○平本俊郎・更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・齋藤 渉（九大）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大） SDM2019-42 ICD2019-7 |
[more] | SDM2019-42 ICD2019-7 pp.31-34 |
| SDM | 2019-01-29 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大） SDM2018-90 |
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] | SDM2018-90 pp.39-44 |
| EE, CPM (共催) |
2013-01-25 10:15 |
熊本 | 阿蘇ファームランド | 高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストベッドの開発 ○松吉 峻（九工大）・附田正則（国際東アジア研究センター）・平井秀敏・大村一郎（九工大） EE2012-46 CPM2012-168 |
高耐圧パワーデバイス評価用テストベッドを開発した。本テストベッドは超低寄生インダクタンスを実現する専用デバイスパッケージ... [more] | EE2012-46 CPM2012-168 pp.105-109 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用 ○齋藤 渉（東芝）・土門知一（東芝ビジネスアンドライフサービス）・大村一郎・新田智洋・垣内頼人・齋藤泰伸・津田邦男・山口正一（東芝） ED2008-204 MW2008-169 |
高耐圧GaN-HEMTを用いた共振インバータ回路による無電極ランプ照明回路を検証した結果について報告する。電流コラプスに... [more] | ED2008-204 MW2008-169 pp.35-40 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について ○大村一郎（東芝） VLD2007-54 SDM2007-198 |
[more] | VLD2007-54 SDM2007-198 pp.19-22 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路 ○齋藤 渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝） |
GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電... [more] | ED2006-237 MW2006-190 pp.205-208 |
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