| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2011-07-04 13:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2011-59 |
次世代CMOSの実現に向けて，低い界面準位密度（<1011 cm－2-eV－1）と低SiO2等価膜厚（1 nm）とを同時... [more] | SDM2011-59 pp.51-56 |
| SDM | 2011-07-04 13:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-60 |
プラセオジム（Pr）酸化膜/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し，P... [more] | SDM2011-60 pp.57-62 |
| SDM | 2010-06-22 13:25 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 原子層堆積法により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性 ○古田和也・竹内和歌奈・坂下満男・近藤博基・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2010-40 |
[more] | SDM2010-40 pp.39-42 |
| SDM | 2009-06-19 13:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-33 |
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] | SDM2009-33 pp.39-44 |
| SDM | 2009-06-19 14:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） SDM2009-37 |
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] | SDM2009-37 pp.61-66 |
| SDM | 2009-06-19 16:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 ○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-41 |
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い，ウェハー面内での膜厚ばらつ... [more] | SDM2009-41 pp.81-85 |
| SDM | 2007-06-08 15:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価 ○坂下満男・鬼頭伸幸（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） SDM2007-51 |
High-kゲート絶縁膜によるGeチャネルMOSFETは高機能デバイスとして期待され、注目されている。我々はパルスレーザ... [more] | SDM2007-51 pp.107-111 |
| SDM | 2006-06-21 14:30 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程 ○佐合寿文・世古明義・坂下満男・酒井 朗・小川正毅・財満鎭明（名大） |
高誘電率ゲート絶縁膜として期待されているLa2O3-Al2O3複合膜に着目し、定電圧ストレス印加中の局所リーク電流を電流... [more] | SDM2006-45 pp.19-24 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]