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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-11-10 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］CrSi薄膜の電気特性のモデリング ○園田賢一郎・白石信仁・前川和義・伊藤 望・長谷川英司・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2022-67 |
アニール時の相変化と結晶粒成長を考慮してCrSi 薄膜の電気抵抗をモデル化した．結晶粒界を含む複数の材料と結晶相からなる... [more] | SDM2022-67 pp.14-18 |
| SDM | 2022-01-31 13:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72％の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式 ○斉藤朋也・伊藤 孝・帯刀恭彦・園田賢一郎・渡辺源太・松原 謙・神田明彦・下井貴裕・武田晃一・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） SDM2021-68 |
16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー... [more] | SDM2021-68 pp.1-4 |
| SDM | 2021-11-12 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析 ○西村智也・永久克己・園田賢一郎・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス） SDM2021-61 |
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] | SDM2021-61 pp.43-46 |
| SDM | 2020-11-19 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出 ○國清辰也・佐藤英則・神野 健・飯塚康治・園田賢一郎・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2020-26 |
裏面照射型CMOS撮像画素の受光面にGe-on-Si層を選択的に配置して，波長850 nmの入射光の像面位相差を検出する... [more] | SDM2020-26 pp.21-24 |
| SDM | 2020-02-07 09:35 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) | ［招待講演］強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果 ○山口 直・前川径一・大原隆裕・天羽生 淳・佃 栄次・園田賢一郎・柳田博史・井上真雄・松浦正純・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2019-89 |
[more] | SDM2019-89 pp.5-8 |
| SDM | 2018-11-08 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2018レビュー ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-64 |
2018 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2018-64 pp.1-6 |
| SDM | 2018-10-17 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山口泰男・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-52 |
[more] | SDM2018-52 pp.1-5 |
| SDM | 2018-01-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-94 |
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる．FinFET SG-M... [more] | SDM2017-94 pp.13-16 |
| ICD | 2017-04-20 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） ICD2017-7 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | ICD2017-7 pp.35-38 |
| SDM | 2017-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） SDM2016-134 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | SDM2016-134 pp.17-20 |
| SDM | 2016-11-10 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2016レビュー (1) ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） SDM2016-79 |
[more] | SDM2016-79 pp.1-7 |
| SDM | 2015-11-06 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について ○酒井 敦・永久克己・園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）・久田賢一・新井耕一・山本陽一（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング）・谷沢元昭・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-91 |
[more] | SDM2015-91 pp.39-43 |
| SDM | 2014-11-07 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2014 レビュー ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-103 |
2014 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2014-103 pp.43-46 |
| SDM | 2013-11-14 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響 ○園田賢一郎・佃 栄次・谷沢元昭・石川清志・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2013-103 |
[more] | SDM2013-103 pp.21-26 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | 相変化メモリのリセット特性のモデリング ○酒井 敦・園田賢一郎・茂庭昌弘・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） VLD2007-55 SDM2007-199 |
本研究では，3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し，リセット動作の解析を行った． このモ... [more] |
VLD2007-55 SDM2007-199 pp.23-26 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング ○園田賢一郎・石川清志・栄森貴尚・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] | VLD2006-42 SDM2006-163 pp.19-24 |
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