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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-29
10:20
富山 富山大学 AlGaNナノリングによるバイオセンシング動作
武島歩志光野徹也鈴木 翔静岡大)・酒井 優山梨大)・菊池昭彦岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2015-36
 [more] EID2015-36
pp.89-91
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-29
10:45
富山 富山大学 減圧CVD成長によってサファイア基板上に作製した六方晶BN薄膜の発光特性
清水乙生梅原直己増田 敦渡辺佳那光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2015-38
BCl3とNH3を原料とする減圧CVDにより,c面サファイア基板上に作製した六方晶窒化ホウ素薄膜について,カソードルミネ... [more] EID2015-38
pp.97-100
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-29
11:09
富山 富山大学 Fe添加における紫外線励起発光特性
赤尾賢人田代竜之小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大)・O. M. MarchyloV. E. Lashkaryov Institute of Semiconductor PhysicsEID2015-40
 [more] EID2015-40
pp.109-112
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
14:15
愛知 豊橋技科大VBL棟 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性
光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
pp.17-19
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-22
13:30
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 Mn添加Mg2(IV)O4深赤色蛍光体の組成と発光特性
河北将馬小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2014-40
 [more] EID2014-40
pp.1-4
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-22
15:24
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 深紫外発光応用に向けた六方晶BN薄膜のCVD成長
増田 敦梅原直己清水乙生光野徹也小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2014-45
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて,c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った.成... [more] EID2014-45
pp.41-44
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-22
15:32
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 紫外発光ZnAl2O4蛍光体の不純物添加による発光特性の制御
石永健揚難波 覚小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2014-46
 [more] EID2014-46
pp.45-48
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-23
11:02
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 トップダウンによる三角形状GaNマイクロディスクの光学特性に関する検討
鈴木 翔光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2014-53
一辺1.5 umから4.4 um、高さ1.2 um程度の三角形状GaNマイクロディスクを三角格子状に配列したマイクロディ... [more] EID2014-53
pp.103-105
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-23
11:10
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 六角形状GaNマイクロディスクレーザの光放射特性の検討
光野徹也鈴木 翔静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2014-54
六角形状GaNマイクロディスクとは一辺が1.5um、厚さ250nm程度の高品質GaN結晶である。本構造はウィスパリングモ... [more] EID2014-54
pp.107-109
MW, OPE, EMT, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-07-17
10:25
北海道 室蘭工業大 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器
桑田英悟山中宏治坂田修一小山英寿加茂宣卓安藤晃洋中原和彦福本 宏三菱電機MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12
 [more] MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12
pp.7-10
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-24
14:18
新潟 新潟大学 駅南キャンパス 高温CVDにより成長した六方晶BN薄膜の発光特性
梅原直己桑原伊織李 惠映光野徹也小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2013-14
BCl3とNH3を原料とする常圧の化学気相法を用いて,c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行っ... [more] EID2013-14
pp.25-28
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-24
14:26
新潟 新潟大学 駅南キャンパス トップダウンによる六角形状GaNマイクロディスクアレイからの光励起発振
鈴木 翔光野徹也静岡大)・山野晃司岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2013-15
電子線描画と反応性イオンエッチングにより、GaN薄膜を微細加工することで、一辺1.5 um、高さ900 nm程度の六角形... [more] EID2013-15
pp.29-31
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-25
09:32
新潟 新潟大学 駅南キャンパス 近赤外発光Mn4+酸化物蛍光体の合成と発光特性
河北将馬小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2013-21
 [more] EID2013-21
pp.77-80
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-25
09:56
新潟 新潟大学 駅南キャンパス 紫外発光(Zn1-XMgX)Al2O4蛍光体の合成と電子線励起発光特性
石永健揚小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2013-22
 [more] EID2013-22
pp.89-92
MBE, NC
(併催)
2013-03-15
16:00
東京 玉川大学 柔軟ポリマーセンサによる睡眠時ブラキシズム中に発生する下顎の動き計測
坂上友介清水貴弘立命館大)・松島基実松浦幹也高橋活栄淺原和彦クラレ)・岡田志麻牧川方昭立命館大MBE2012-126
本研究では,睡眠時ブラキシズム中に発生する下顎の動きを計測する新しい方法を提案した.この方法では新しく開発された柔軟ポリ... [more] MBE2012-126
pp.201-203
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-24
13:30
静岡 静岡大学 六角形状GaNマイクロディスク結晶における光共振機構の検証
光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2012-14
1辺の長さが1から2マイクロメートル程度の六角形状GaNマイクロディスク結晶の光共振機構について有限時間領域差分法による... [more] EID2012-14
pp.1-3
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-24
13:38
静岡 静岡大学 Si3N4/Si基板上Y2O3:Eu極薄膜の構造および発光特性
神谷将至三宅亜紀名和靖矩居波 渉小南裕子杉田篤史中西洋一郎原 和彦川田善正静岡大
 [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
2012-01-27
14:02
秋田 秋田大学 手形キャンパス 化学気相法により作製した六方晶窒化ホウ素粒子の結晶性の改善
河西康雅粟野春之小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大
 [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
2012-01-27
14:10
秋田 秋田大学 手形キャンパス (仮題)蛍光体ナノシート分散液の光学特性に及ぼす金属ナノ粒子添加効果
伊藤千絵美・○北浦 守佐々木 実山形大)・小南裕子原 和彦静岡大)・大西彰正山形大
 [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
13:05
高知 高知工科大学 研究教育棟B 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性
井口 拓小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大)・大西彰正北浦 守山形大EID2010-23
電子線励起によって紫外発光を示すZnAl2O4は新規紫外発光デバイス用蛍光体として期待されている.本稿では固相合成法によ... [more] EID2010-23
pp.5-8
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