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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価 ～ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ～ ○前田拓也（東大）  SDM2023-72 |
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には，正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] | SDM2023-72 pp.41-46 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:50 |
京都 | 京大桂キャンパス | ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・上野昌紀・山本喜之（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 |
[more] | ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 pp.9-14 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:00 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・山本喜之・上野昌紀（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106 |
[more] | ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106 pp.33-37 |
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