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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-10-29
16:45
宮城 東北大学 SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性
阿部俊幸田主裕一朗黒木伸一郎小谷光司伊藤隆司東北大SDM2009-122
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造に... [more] SDM2009-122
pp.27-30
SDM 2009-10-30
11:30
宮城 東北大学 ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化
田主裕一朗河野陽輔黒木伸一郎小谷光司東北大)・村 直美山上公久古村雄二フィルテック)・伊藤隆司東北大SDM2009-128
ガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化のための新たな手法としてヒートガスアニール法を提案し実証した。ヒートガスアニール... [more] SDM2009-128
pp.47-50
CPM 2009-08-10
16:05
青森 弘前大学 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
三浦創史中澤日出樹西崎圭太弘前大)・末光眞希東北大)・安井寛治長岡技科大)・伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・成田 克山形大CPM2009-36
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン(MMS)を用いた高周波プラズマ化学気... [more] CPM2009-36
pp.13-18
CPM 2009-08-11
11:40
青森 弘前大学 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
齋藤 健永田一樹長岡技科大)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・高田雅介赤羽正志・○安井寛治長岡技科大CPM2009-45
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] CPM2009-45
pp.61-66
ED 2009-04-24
09:50
宮城 東北大学電気通信研究所 Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術
半田浩之宮本 優齋藤英司吹留博一伊藤 隆東北大)・末光眞希東北大/JSTED2009-10
近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しか... [more] ED2009-10
pp.39-43
SIS 2008-12-04
11:00
大阪 関西大学(千里山キャンパス) UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路
佐々木敦史小谷光司伊藤隆司東北大
UHF帯RFID向けの高効率な差動型整流回路を実現した.この整流回路は差動信号により駆動し,ダイオードとして用いるMOS... [more] SIS2008-45
pp.17-21
CPM 2008-10-30
13:25
新潟 新潟大学 パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
小前泰彰齋藤 健長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克九工大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2008-76
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2008-76
pp.7-12
SDM 2008-10-09
13:30
宮城 東北大学 ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価
谷 クン根本剛直寺本章伸伊藤隆司大見忠弘東北大SDM2008-149
 [more] SDM2008-149
pp.1-6
SDM 2008-10-09
14:00
宮城 東北大学 高精度CMP終点検出方法の検討
谷 クン・○根本剛直東北大)・Ara PhilipossianYasa Adi SampurnoUniv. of Arizona/Araca)・Jiang ChengAraca)・Yun ZhuangUniv. of Arizona/Araca)・寺本章伸伊藤隆司大見忠弘東北大SDM2008-150
 [more] SDM2008-150
pp.7-12
SDM 2008-10-09
14:30
宮城 東北大学 エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化
沼田雅之黒木伸一郎藤井俊太朗小谷光司伊藤隆司東北大SDM2008-151
CWレーザアニールはガラス基板上でグレインサイズ20×2 µm2の大粒径poly-Si薄膜を得ることができ、... [more] SDM2008-151
pp.13-16
ED 2008-03-06
16:45
山形 伝国の杜(米沢) 有機半導体完全結晶の創製と電子物性 ~ 固液界面アトムプロセスの応用 ~
板谷謹悟東北大/JST)・庭野道夫東北大)・山田順一兵庫県立大/JST)・廣瀬文彦山形大/JST)・伊藤 隆東北大/JSTED2007-258
 [more] ED2007-258
pp.33-38
CPM 2007-11-17
09:00
新潟 長岡技術科学大学 ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ~ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ~
深田祐介安部和貴黒木雄一郎長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆東北大)・成田 克九工大)・遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2007-115
 [more] CPM2007-115
pp.55-58
SDM 2007-10-04
16:55
宮城 東北大学 機械的歪み印加によるSrTiO3MIMキャパシタ誘電率変調
黒木伸一郎小谷光司伊藤隆司東北大SDM2007-179
ペロブスカイト酸化物誘電体薄膜における歪印加効果について報告する。ペロブスカイト高誘電率薄膜において、不純物添加起因の歪... [more] SDM2007-179
pp.23-24
SDM 2007-10-05
10:55
宮城 東北大学 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討
石川 拓東京エレクトロン技研/東北大)・野沢俊久松岡孝明東京エレクトロン技研)・寺本章伸平山昌樹伊藤隆司大見忠弘東北大SDM2007-183
近年、半導体デバイスの高集積化が進み、デバイスの高速動作の観点から配線のRC遅延を減少させるために低誘電率層間絶縁膜とC... [more] SDM2007-183
pp.31-34
ICD, SDM
(共催)
2006-08-17
14:20
北海道 北海道大学 RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果
坂井靖文小谷光司伊藤隆司東北大
 [more] SDM2006-134 ICD2006-88
pp.51-56
PRMU, DE
(共催)
2006-06-16
16:45
北海道 函館市中央図書館 他断面からの光の混入を除去した蛍光顕微鏡画像の再構成手法
伊藤隆泰熊澤逸夫東工大
 [more] DE2006-21 PRMU2006-59
pp.61-66
CS 2005-11-17
09:20
北海道 湯の川プリンスホテル 渚亭 マルチホップアドホックネットワークにおいてホップ数に対するパケット送信成功率の公平性の改善を図ったMACプロトコル
伊藤隆範笹瀬 巌慶大
本論文では, マルチホップアドホックネットワークにおいて, あて先端末までのホップ数に対するパケット
送信成功率の公平... [more]
CS2005-50
pp.79-84
SR 2005-07-29
10:00
神奈川 YRP [技術展示] エスパアンテナを利用したIEEE802.15.4 秘密鍵共有システム
青野智之伊藤 隆太郎丸 真大平 孝ATR)・笹岡秀一同志社大
ソフトウェア無線の主要な機能として,無線ダウンロードによるソフトウェアのアップグレード機能がある.ダウンロードされるソフ... [more] SR2005-27
pp.45-52
NS, IN
(共催)
2005-03-04
13:10
沖縄 残波岬ロイヤルホテル(沖縄) WDMネットワークにおけるシグナリングを用いた経路/波長探索方式
本間潤一郎伊藤隆範石井大介山中直明慶大
 [more] NS2004-309 IN2004-309
pp.321-324
NS, IN
(共催)
2005-03-04
13:50
沖縄 残波岬ロイヤルホテル(沖縄) 変換範囲が制限された波長変換器を用いたWDMネットワークにおける波長割当方式
清水 翔伊藤隆範荒川 豊山中直明慶大
波長ルーチングネットワークにおいて,波長変換器を用いることにより,エンド・ツー・エンドで同一波長を用いる必要がなくなり,... [more] NS2004-311 IN2004-311
pp.329-332
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