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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 13:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ) ○秋田佳輝・松尾直人（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大）  EID2018-5 SDM2018-78 |
本研究では，Ge膜のFLA結晶化時にSiOxキャップ膜が及ぼす影響を調査した．FLA結晶化におけるpoly-Ge膜の結晶... [more] | EID2018-5 SDM2018-78 pp.17-20 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 16:00 |
京都 | 京都大学 | Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果 ○吉岡尚輝・秋田佳輝・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大） EID2017-26 SDM2017-87 |
[more] | EID2017-26 SDM2017-87 pp.77-80 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:00 |
京都 | 京都大学 | 軟X線源を用いたSiOx中nc-Siの形成 ○草壁 史・平野翔大・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏・宮本修治（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大） EID2014-32 SDM2014-127 |
[more] | EID2014-32 SDM2014-127 pp.99-102 |
| SDM | 2014-06-19 11:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 ○生田目俊秀・大井暁彦（物質・材料研究機構）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2014-49 |
Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3層間のコンダクションバンドオフセットが1.8 eVと大きなp-Si/SiO2/... [more] | SDM2014-49 pp.31-35 |
| SDM | 2013-12-13 13:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ～ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ～ ○草壁 史・丸山裕樹・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・伊藤和博・高橋 誠（阪大） SDM2013-126 |
a-Ge, a-SiGe 膜の軟 X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge 膜において蓄積リング電... [more] | SDM2013-126 pp.61-66 |
| SDM | 2011-02-07 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 ○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大） SDM2010-221 |
我々は、Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた。近年、Ti基自己形成バ... [more] | SDM2010-221 pp.31-35 |
| SDM | 2010-02-05 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 ○大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西 隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武 浩（ルネサステクノロジ） SDM2009-188 |
プロセスの微細化が進むにしたがって、配線抵抗がデバイスの性能に与える影響は大きくなる．我々は、低抵抗かつ高信頼なCu配線... [more] | SDM2009-188 pp.37-41 |
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