| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2014-09-04 13:30 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価 ○土屋政人・真柄晃平・徳田健吾・中澤日出樹（弘前大）  CPM2014-75 |
[more] | CPM2014-75 pp.1-5 |
| CPM | 2014-09-04 13:55 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○目黒一熙・成田次理・上村駿洋・中澤日出樹（弘前大） CPM2014-76 |
4ºオフ角Si(100)基板およびSi(110)基板上に、窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーシ... [more] | CPM2014-76 pp.7-12 |
| CPM | 2012-10-26 16:40 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長 ○中澤日出樹・鈴木大樹・成田次理・山本陽平（弘前大） CPM2012-100 |
[more] | CPM2012-100 pp.39-44 |
| CPM | 2012-10-27 12:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性 ○姉崎 豊・佐藤 魁・加藤孝弘・加藤有行・豊田英之（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-111 |
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し，... [more] | CPM2012-111 pp.97-100 |
| CPM | 2012-08-08 13:25 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | Si(100)基板/AlN中間層上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長 ○中澤日出樹・鈴木大樹・成田次理・山本陽平（弘前大） CPM2012-34 |
[more] | CPM2012-34 pp.5-10 |
| CPM | 2012-08-08 13:50 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性 ○姉崎 豊・佐藤 魁・加藤孝弘・加藤有行（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-35 |
[more] | CPM2012-35 pp.11-15 |
| CPM | 2011-08-10 13:00 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性 ○鈴木大樹・熊谷知貴・中澤日出樹（弘前大） CPM2011-56 |
KrFエキシマーレーザーおよび窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基... [more] | CPM2011-56 pp.1-6 |
| CPM | 2011-08-10 14:15 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 大谷孝史・姉崎 豊・浅野 翔・加藤有行（長岡技科大）・成田 克（山形大）・中澤日出樹（弘前大）・加藤孝弘・○安井寛治（長岡技科大） CPM2011-59 |
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後， Ge, SiC... [more] | CPM2011-59 pp.15-20 |
| CPM | 2011-08-10 15:45 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響 ○奥野さおり・三浦創史・鎌田亮輔・中澤日出樹（弘前大） CPM2011-62 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）の膜特性の改善のために、SiおよびN源にヘキサメチルジシラザン（HMDS）を用いたプ... [more] | CPM2011-62 pp.31-36 |
| CPM | 2011-08-10 16:10 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響 ○毛内裕介・遅澤遼一・中澤日出樹（弘前大） CPM2011-63 |
[more] | CPM2011-63 pp.37-42 |
| CPM | 2010-10-29 10:25 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 永田一樹・里本宗一（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・○安井寛治（長岡技科大） CPM2010-102 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2010-102 pp.55-58 |
| CPM | 2010-07-30 10:20 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成 ○中澤日出樹・鈴木大樹・遲澤遼一・岡本 浩（弘前大） CPM2010-38 |
KrFエキシマレーザーおよび窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi基板上にAlN... [more] | CPM2010-38 pp.39-44 |
| CPM | 2009-08-10 16:05 |
青森 | 弘前大学 | 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 ○三浦創史・中澤日出樹・西崎圭太（弘前大）・末光眞希（東北大）・安井寛治（長岡技科大）・伊藤 隆・遠藤哲郎（東北大）・成田 克（山形大） CPM2009-36 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン（MMS）を用いた高周波プラズマ化学気... [more] | CPM2009-36 pp.13-18 |
| CPM | 2009-08-10 16:30 |
青森 | 弘前大学 | 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化 ○遲澤遼一・中澤日出樹・奥崎知秀・佐藤直之・遠田義晴（弘前大）・末光眞希（東北大） CPM2009-37 |
KrFエキシマレーザーを用いたレーザーアブレーション法によりSi基板上にダイヤモンドライクカーボン（diamond-li... [more] | CPM2009-37 pp.19-24 |
| CPM | 2009-08-11 11:40 |
青森 | 弘前大学 | 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 齋藤 健・永田一樹（長岡技科大）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・高田雅介・赤羽正志・○安井寛治（長岡技科大） CPM2009-45 |
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] | CPM2009-45 pp.61-66 |
| CPM | 2008-10-30 13:25 |
新潟 | 新潟大学 | パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長 ○小前泰彰・齋藤 健（長岡技科大）・末光眞希・伊藤 隆・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（九工大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大） CPM2008-76 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2008-76 pp.7-12 |
| CPM | 2007-11-17 09:00 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ～ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ～ ○深田祐介・安部和貴・黒木雄一郎（長岡技科大）・末光眞希・伊藤 隆（東北大）・成田 克（九工大）・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大） CPM2007-115 |
[more] | CPM2007-115 pp.55-58 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]