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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 15:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2023-80 |
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] | SDM2023-80 pp.24-27 |
| ICD | 2023-04-10 13:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］音声認識に向けた新方式HZO/Si FeFETリザバーコンピューティング ○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・竹中 充・高木信一（東大） ICD2023-4 |
我々はHZO/Si強誘電体ゲートFET(FeFET)を用いたリザバーコンピューティング(RC)を検証してきた．FeFET... [more] | ICD2023-4 p.9 |
| MBE, NC (併催) |
2022-03-02 09:55 |
ONLINE | オンライン開催 | リザバーコンピューティングによる再構成処理を利用した時系列信号の異常検知の試み ○加藤准也・田中剛平・中根了昌・廣瀬 明（東大） NC2021-47 |
本論文は、時系列信号を対象にした異常検知手法として、再構成リザバーコンピューティング（RRC）を提案する。RRCは、入力... [more] | NC2021-47 pp.5-10 |
| MBE, NC (併催) |
2022-03-02 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | スピン波リザバーコンピューティングチップのためのフィルム貫通型電気―スピン波変換器 ○陳 嘉璇・中根了昌・田中剛平・廣瀬 明（東大） NC2021-56 |
われわれは、スピン波を用いる物理リザバー コンピューティング チップを実現するために、新たな電気―スピン波変換構造を提案... [more] | NC2021-56 pp.50-55 |
| SDM | 2021-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 ○高木信一・トープラサートポン カシディット・羅 璇・名幸瑛心・王 澤宇・李 宗恩・田原建人・竹中 充・中根了昌（東大） SDM2021-55 |
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] | SDM2021-55 pp.13-18 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-07 10:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ニューロモルフィック応用に向けたHf0.5Zr0.5O2/Si FeFETを用いたリザバーコンピューティング ○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・王 澤宇・宮武悠人・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-7 ICD2020-7 |
[more] | SDM2020-7 ICD2020-7 pp.31-36 |
| NC, MBE (併催) |
2019-03-05 10:20 |
東京 | 電気通信大学 | パターン情報表現およびパターン情報処理を物理的に実現するニューラルネットワークデバイスとその利点 ○廣瀬 明・田中剛平（東大）・武田征士・山根敏志・沼田秀俊・金澤直輝・ヘロー ジャンベノ・中野大樹（日本IBM）・中根了昌（東大） NC2018-65 |
[more] | NC2018-65 pp.117-120 |
| NC, MBE (併催) |
2019-03-05 10:45 |
東京 | 電気通信大学 | スピン波リザバーコンピューテイングにおける有用情報の空間分布 ○市村剛大・中根了昌・田中剛平・廣瀬 明（東大） NC2018-66 |
本論文は、ガーネットフィルムに励起されたスピン波 を利用することにより実現するリザバーコンピューティングにお いて、その... [more] | NC2018-66 pp.121-126 |
| SDM | 2015-01-27 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 ○金 閔洙・若林勇希・中根了昌・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2014-137 |
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] | SDM2014-137 pp.9-12 |
| IBISML | 2014-11-18 15:00 |
愛知 | 名古屋大学 | ［ポスター講演］疎結合を持つモジュラー型自己連想ニューラルネットワークの特性解析 ○山根敏志（日本IBM）・田中剛平（東大）・中野大樹（日本IBM）・中根了昌（東大）・片山泰尚（日本IBM） IBISML2014-82 |
モジュラー・ネットワーク構造を持つ自己連想ニューラルネットワークの特性解析について報告する． 特に，ハードウェア実装を... [more] |
IBISML2014-82 pp.351-356 |
| SDM | 2014-01-29 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET ○金 相賢・横山正史・中根了昌（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-144 |
[more] | SDM2013-144 pp.39-42 |
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