研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-18 11:25 |
三重 |
伊勢市観光文化会館 |
一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性と感度特性 ○伊藤優佑・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2016-44 EMT2016-73 OPE2016-119 LQE2016-108 EST2016-83 MWP2016-57 |
表面プラズモンセンサーは, 表面プラズモンポラリトン(SPP)の励起を利用して, 対象媒質の屈折率の変化に対応して検出を... [more] |
PN2016-44 EMT2016-73 OPE2016-119 LQE2016-108 EST2016-83 MWP2016-57 pp.13-18 |
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-18 11:50 |
三重 |
伊勢市観光文化会館 |
表面プラズモンを用いたワイヤーグリッド偏光子の作製と偏光特性評価に関する研究 ○中嶋智康・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2016-45 EMT2016-74 OPE2016-120 LQE2016-109 EST2016-84 MWP2016-58 |
我々はこれまでに2層型ワイヤーグリッド偏光子(WGP)の周期によって異常透過の起きる入射角度が変化し, 表面プラズモン(... [more] |
PN2016-45 EMT2016-74 OPE2016-120 LQE2016-109 EST2016-84 MWP2016-58 pp.19-22 |
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-19 15:25 |
三重 |
伊勢市観光文化会館 |
Au 2次元回折格子構造による光学素子の作製と光学特性評価 ○山田泰士・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2016-82 EMT2016-111 OPE2016-157 LQE2016-146 EST2016-121 MWP2016-95 |
Au 2次元回折格子構造を使った光学ミラーの実現のために、電子線リソグラフィ技術とリフトオフ工程を利用して作製し、光学特... [more] |
PN2016-82 EMT2016-111 OPE2016-157 LQE2016-146 EST2016-121 MWP2016-95 pp.269-272 |
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-19 15:50 |
三重 |
伊勢市観光文化会館 |
焦点制御型回折レンズの作製と焦点距離と焦点深度の制御 ○井口陽介・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2016-83 EMT2016-112 OPE2016-158 LQE2016-147 EST2016-122 MWP2016-96 |
レーザー光を様々な分野へ応用するために,周期構造によって焦点距離と焦点深度を制御できる焦点制御型回折レンズの設計を行い,... [more] |
PN2016-83 EMT2016-112 OPE2016-158 LQE2016-147 EST2016-122 MWP2016-96 pp.273-278 |
ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 10:55 |
大阪 |
大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール ○鈴木周平・林 家弘・三宅秀人・平松和政(三重大)・福山博之(東北大) ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 |
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] |
ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 pp.5-9 |
ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 11:20 |
大阪 |
大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 ○安井大貴・三宅秀人・平松和政(三重大)・岩谷素顕・赤崎 勇(名城大)・天野 浩(名大) ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 |
AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光... [more] |
ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 pp.11-14 |
ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 15:05 |
大阪 |
大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
[招待講演]AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 ○秩父重英(東北大)・三宅秀人・平松和政(三重大) ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108 |
[more] |
ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108 pp.43-48 |
OPE, LQE (共催) |
2014-12-18 11:05 |
東京 |
機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) |
光学フィルタへの応用に向けた金属2次元回折格子構造の作製と光学特性評価 ○鬼頭壮宜・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) OPE2014-141 LQE2014-128 |
従来技術に変わる熱線遮蔽対策として,可視光は透過,赤外光は反射を同時に達成するコールドフィルタを実現するために,金属2次... [more] |
OPE2014-141 LQE2014-128 pp.11-14 |
LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:50 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果 ○中濵和大(三重大)・福世文嗣(浜松ホトニクス)・三宅秀人・平松和政(三重大)・吉田治正・小林祐二(浜松ホトニクス) ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104 |
[more] |
ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104 pp.15-18 |
LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 16:00 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 ○岡田俊祐・三宅秀人・平松和政(三重大)・宮川鈴衣奈・江龍 修(名工大)・橋詰 保(北大) ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 |
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面,(20-2-1)面を主面とするGaN自立... [more] |
ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 pp.111-115 |
CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 11:15 |
愛知 |
名古屋大学VBL3階 |
AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長 ○渡邉祥順・三宅秀人・平松和政(三重大)・岩崎洋介(JFEミネラル) ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35 |
窒化アルミニウムは深紫外域の発光・受光デバイスや高出力・高周波パワーデバイスなどの基板として注目されている。近年のHVP... [more] |
ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35 pp.97-100 |
CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:00 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス |
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 ○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政(三重大)・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介(エア・ウォーターR&D) ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 |
Si 基板上のGaN 成長においては,熱膨張係数差に起因する基板の反りやクラックの発生,SiとGa との反応によるメルト... [more] |
ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 pp.71-74 |
CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:25 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス |
サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 ○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政(三重大)・福山博之(東北大) ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 |
AlNはワイドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.本研... [more] |
ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 pp.75-78 |
CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:50 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス |
減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 ○北川 慎・三宅秀人・平松和政(三重大) ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116 |
窒化アルミニウムは禁制帯幅が約6.2eVのため深紫外域の光デバイス用の基板として期待されているが、高品質AlN自立基板の... [more] |
ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116 pp.79-82 |
OME, IEE-DEI (連催) |
2013-01-24 16:50 |
愛知 |
ウィンクあいち |
減圧CVD法によるグラフェン成長制御 ○前坂考哉・佐藤英樹・三宅秀人・平松和政(三重大) OME2012-89 |
本研究では,単層カーボンナノチューブの低温成長法として知られている,エタノールを原料とする減圧CVD(LP-CVD)法の... [more] |
OME2012-89 pp.31-35 |
ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 09:30 |
大阪 |
大阪市立大学 |
非極性GaN基板上への選択MOVPE成長 ○神野大樹・岡田俊祐・三宅秀人・平松和政(三重大)・江夏悠貴・長尾 哲(三菱化学) ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 |
(10-10) GaNや(20-21) GaN,(20-2-1) GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択... [more] |
ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 pp.51-54 |
ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 14:05 |
大阪 |
大阪市立大学 |
減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用 ○落合俊介・高木麻有奈(三重大)・福世文嗣(三重大/浜松ホトニクス)・三宅秀人・平松和政(三重大)・小林祐二・吉田治正(浜松ホトニクス) ED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113 |
AlxGa1-xNはAlNモル分率x を変化させることで,210から365 nmまでの広い紫外発光波長域をカバーできるこ... [more] |
ED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113 pp.93-96 |
LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:30 |
京都 |
京都大学桂キャンパス 桂ホール |
サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御 ○宮川鈴衣奈・楊 士波・三宅秀人・平松和政(三重大)・桑原崇彰・桑野範之・光原昌寿(九大) ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 |
高性能深紫外受発光デバイスへの応用に,AlN膜の高品質化が求められている.本研究では,核形成層である中温(medium-... [more] |
ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 pp.5-10 |
LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:55 |
京都 |
京都大学桂キャンパス 桂ホール |
エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 ○野村拓也・三宅秀人・平松和政(三重大)・龍 祐樹・桑原崇彰・桑野範之(九大) ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 |
高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である. 本研究ではエッチピット... [more] |
ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 pp.11-14 |
CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 09:25 |
愛知 |
名古屋大学 VBL |
a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 ○高木雄太・三宅秀人・平松和政(三重大) ED2011-2 CPM2011-9 SDM2011-15 |
[more] |
ED2011-2 CPM2011-9 SDM2011-15 pp.7-10 |