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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SAT, RCS
(併催)
2020-08-21
13:25
ONLINE オンライン開催 [特別講演]Skyloによる衛星IoTサービスのご紹介
吉田 修浦 真人松井裕明伊藤 雄ソフトバンクSAT2020-22 RCS2020-85
静止衛星を利用して小型通信端末にIoT通信を提供するサービスが海外で始められようとしている.このサービスを計画しているの... [more] SAT2020-22 RCS2020-85
p.65(SAT), p.35(RCS)
SAT 2019-10-11
10:50
福岡 JR博多シティ(福岡) {10F 会議室A+B} Suppression of Sidelobe Level over Specific Points in S-band Assuming International Satellite Operation
Hiroaki MatsuiOsamu YoshidaKota GotoTsuyoshi KuzumakiMasahiko SunagawaSoftBankSAT2019-58
In order to operate a communication satellite, international... [more] SAT2019-58
pp.71-76
SAT 2019-10-11
17:10
福岡 JR博多シティ(福岡) {10F 会議室A+B} [特別講演]Overview of OneWeb satellite constellation project
Osamu YoshidaHiroaki MatsuiSoftBankSAT2019-65
In recent years, several mega-constellation projects consist... [more] SAT2019-65
p.127
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価
加藤公彦東大/産総研)・松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2019-46 ICD2019-11
酸化物半導体/IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け,膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] SDM2019-46 ICD2019-11
pp.63-66
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
SDM 2018-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2017-92
本研究では,酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた,Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] SDM2017-92
pp.5-8
EMCJ, IEE-EMC
(連催)
2014-06-20
15:45
兵庫 神戸大 磁性薄膜を用いたTEGチップ内の伝導および誘導ノイズ結合解析
室賀 翔樊 鵬田中 聡東北大)・北村智満ルネサスエスピードライバ)・松井浩明ルネサス エレクトロニクス)・東 直矢島崎俊介上坂純平永田 真神戸大)・山口正洋東北大EMCJ2014-16
 [more] EMCJ2014-16
pp.55-58
CPM 2012-10-27
10:00
新潟 まちなかキャンパス長岡 プラスチック基板上に作製したITO膜及び有機EL素子の機械的特性
松井博章清水英彦岩野春男福嶋康夫永田向太郎坪井 望野本隆宏新潟大CPM2012-106
本研究では,PEN基板上に様々な条件で作製したITO膜や有機EL素子を用いて機械的特性の検討を行った。その結果,ITO膜... [more] CPM2012-106
pp.71-76
CPM 2010-10-29
11:15
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 交互積層法によるMg-Cu薄膜の特性の検討
清水健児丹内俊郎松井博章清水英彦岩野春男川上貴浩新潟大CPM2010-104
Mg膜とCu膜を交互に積層する方法により,堆積時の基板温度及びスパッタガス圧を変化させたMg-Cu薄膜を作製し,水素化を... [more] CPM2010-104
pp.65-69
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