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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2010-01-13
14:50
東京 機械振興会館 All-Pass/容量結合BPF切替形MMIC移相器
幸丸竜太半谷政毅重永晃一山口真美子檜枝護重三菱電機ED2009-178 MW2009-161
小形・広帯域な特性を有するAll-Pass/容量結合BPF切替形移相器を提案する.本移相器は,基準状態の動作を容量結合B... [more] ED2009-178 MW2009-161
pp.23-27
ED, MW
(共催)
2010-01-15
11:20
東京 機械振興会館 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ
半谷政毅垂井幸宣加茂宣卓檜枝護重三菱電機ED2009-194 MW2009-177
X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した.本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構... [more] ED2009-194 MW2009-177
pp.111-115
MW 2009-03-06
15:40
東京 NHK技研(世田谷区砧) Ka帯オープン/ショートスタブ切替型ハイパワースイッチ
幸丸竜太半谷政毅中原和彦山口真美子檜枝護重三菱電機MW2008-204
マイクロ波送受信モジュールに用いられるLNA保護スイッチとして,遮断時に高耐電力特性,通過時に低損失特性を有するオープン... [more] MW2008-204
pp.81-86
MW 2008-12-12
13:00
富山 富山大学(五福キャンパス) バックトゥバックバラクタ/固定キャパシタ併用形帯域可変LPF
橘川雄亮半谷政毅檜枝護重宮崎守泰三菱電機MW2008-153
低スプリアス特性を有するバックトゥバック/固定キャパシタ併用形帯域可変LPF(Low Pass Filter)について述... [more] MW2008-153
pp.41-45
MW 2008-11-21
11:20
長崎 長崎大学 FET可変Q共振器を用いた定位相温度補償減衰器
半谷政毅浅尾英喜檜枝護重山口真美子宮崎守泰三菱電機MW2008-137
 [more] MW2008-137
pp.107-112
MW 2007-09-05
17:20
栃木 宇都宮大 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ
半谷政毅西野 有加茂宣卓宮崎守泰三菱電機MW2007-94
近年,高耐圧GaAsやGaNなど,高耐圧FETに関する研究が進んでいる.今回,遮断状態における耐電力がFETの耐圧および... [more] MW2007-94
pp.71-75
EMT, OPE, MW
(共催)
2007-08-02
17:10
北海道 室蘭工業大学 集中定数型MEMS5ビット移相器
橘川雄亮西野 有半谷政毅李 相錫井上博元吉田幸久宮崎守泰三菱電機MW2007-57 OPE2007-44
集中定数素子で構成された小形なMEMS 5ビット移相器を開発した.直列インダクタとMEMSスイッチを備えたシャントキャパ... [more] MW2007-57 OPE2007-44
pp.87-92
MW 2006-12-22
11:35
愛媛 愛媛大 直並列・並列併用終端型GaN FETスイッチ
半谷政毅西野 有國井徹郎宮崎守泰三菱電機
 [more]
EMCJ, MW
(共催)
2006-10-26
14:55
青森 八戸工業大学 All-Pass回路を用いた超小型C帯5ビットMMIC移相器
宮口賢一檜枝護重半谷政毅湯之上則弘佐々木善伸西野 有宮崎守泰三菱電機EMCJ2006-60 MW2006-116
本報告では,C帯以下の比較的低い周波数帯において,小型化に適した移相回路構成とその設計法を述べる.本移相回路は,スイッチ... [more] EMCJ2006-60 MW2006-116
pp.53-56
MW, ED
(共催)
2005-11-17
09:50
佐賀 佐賀大学 小型カンチレバー型MEMSスイッチの高周波特性
西野 有半谷正毅出尾晋一曽田真之介吉田幸久宮崎守泰三菱電機
シリコン基板に金メッキ技術とニッケルを犠牲層としたマイクロマシニング技術を用い,また,接点を駆動するバイアス電圧を高周波... [more] ED2005-159 MW2005-114
pp.11-14
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