| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| RISING (第三種研究会) |
2021-11-16 11:30 |
東京 | 東京都内+EventIn （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
情報指向ネットワークにおける負荷変動を考慮した蟻コロニー最適化を用いた経路制御 ○田中 剛・西辻 崇・朝香卓也（都立大） |
[more] | |
| CQ, CS (併催) |
2020-06-26 10:10 |
ONLINE | オンライン開催 | コンテンツ指向ネットワークにおけるコンテンツ移動を考慮した蟻コロニー最適化を用いた経路制御法 ○田中 剛・西辻 崇・朝香卓也（都立大）  CQ2020-15 |
[more] | CQ2020-15 pp.71-76 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-19 16:55 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | CPUアーキテクチャ考慮した性能モデルの導入によるデータベース高速化のためのコスト計算精度向上 ○田中 剛（首都大東京/日立）・石川 博（首都大東京） VLD2015-84 CPSY2015-116 RECONF2015-66 |
半導体記録媒体の高速・大容量化に伴い、データベースのクエリ処理における最適な処理手順を求めるためのコスト計算ではディスク... [more] | VLD2015-84 CPSY2015-116 RECONF2015-66 pp.67-72 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 ○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-122 MW2012-152 |
低電圧DC-DCコンバータ用途として、Siショットキーバリアダイオード（SBD）を集積化したノーマリオフGaNトランジス... [more] | ED2012-122 MW2012-152 pp.53-56 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-124 MW2012-154 |
ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについ... [more] | ED2012-124 MW2012-154 pp.63-68 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 10:05 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［招待講演］マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路 ○永井秀一・根来 昇・福田健志・河井康史・上田哲三・田中 毅・大塚信之・上田大助（パナソニック） SDM2012-79 ICD2012-47 |
ゲート制御信号を5.8ＧＨｚの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] | SDM2012-79 ICD2012-47 pp.89-92 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード ○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2011-137 MW2011-160 |
[more] | ED2011-137 MW2011-160 pp.101-105 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計 ○中澤敏志・鶴見直大・西嶋将明・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-139 MW2011-162 |
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から... [more] | ED2011-139 MW2011-162 pp.111-115 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 16:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル ○井手利英・清水三聡・沈 旭強（産総研）・森田竜夫・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 |
GaN-Gate Injection Transistor(GIT) 双方向スイッチは従来のスイッチング素子と比較して低... [more] | ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 pp.55-60 |
| CPSY | 2011-10-21 17:40 |
兵庫 | 神戸大学大学院 | クラウドコンピューティング基盤のための統合運用管理技術の提案 ○田中 剛・川本真一・上原敬太郎（日立） CPSY2011-41 |
業務システムのコスト削減や柔軟性向上のため，クラウドコンピューティングの本格的利用が加速しているが，今後さらなる普及に向... [more] | CPSY2011-41 pp.91-96 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術 ○河井康史・宇治田信二・福田健志・酒井啓之・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2010-191 MW2010-151 |
ミリ波CMOS向けに、インバーテッドマイクロストリップライン（IMSL）を用いた新しいウェハレベルチップサイズパッケージ... [more] | ED2010-191 MW2010-151 pp.87-90 |
| ED | 2010-12-17 10:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ［招待講演］準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス ○酒井啓之・黒田正行・根来 昇・村田智洋・永井秀一・西嶋将明・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2010-167 |
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] | ED2010-167 pp.53-58 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード ○石田秀俊・柴田大輔・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2008-202 MW2008-167 |
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] | ED2008-202 MW2008-167 pp.23-27 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2008-220 MW2008-185 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] | ED2008-220 MW2008-185 pp.125-128 |
| MW | 2008-08-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC ○村田智洋・黒田正行（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・西嶋将明・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・酒井啓之・田中 毅（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） MW2008-85 |
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] | MW2008-85 pp.37-40 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 10:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・松尾尚慶（松下電器）・永井秀一・Ming Li（Panasonic Boston Lab）・鶴見直大・石田秀俊・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2008-73 SDM2008-92 |
[more] | ED2008-73 SDM2008-92 pp.177-181 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire ○Tomohiro Murata・Masayuki Kuroda（Matsushita Electric Industrial）・Shuichi Nagai（Panasonic Boston Lab.）・Masaaki Nishijima・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Hiroyuki Sakai・Tsuyoshi Tanaka（Matsushita Electric Industrial）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） ED2008-103 SDM2008-122 |
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] | ED2008-103 SDM2008-122 pp.331-335 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-17 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ ○福田健志・根来 昇・宇治田信二・永井秀一・西嶋将明・酒井啓之・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-223 MW2007-154 |
26GHz帯超高帯域無線(UWB)を用いた車載用近距離レーダの無線部およびマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)の試... [more] | ED2007-223 MW2007-154 pp.93-97 |
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