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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SIP, CAS, MSS, VLD
(共催)
2017-06-20
15:30
新潟 新潟大学五十嵐キャンパス 中央図書館ライブラリーホール 演算器の可変レイテンシ化による処理性能と回路面積のトレードオフに関する評価
右近祐太佐藤真平高橋篤司東工大CAS2017-23 VLD2017-26 SIP2017-47 MSS2017-23
データセンタにおいて想定されるサービスには高い精度を必要とせず,かつ計算量の多い処理が多数ある.そのため,少ないリソース... [more] CAS2017-23 VLD2017-26 SIP2017-47 MSS2017-23
pp.119-124
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2017-05-10
16:05
福岡 北九州国際会議場 [招待講演]IEEE CEDA 日本チャプター発足とその役割
高橋篤司東工大VLD2017-3
日本におけるEDA分野の更なる活性化を目的として,IEEE the Council on Electronic Desi... [more] VLD2017-3
pp.13-16
VLD 2017-03-02
10:30
沖縄 沖縄県青年会館 TPLのための半正定値計画緩和に基づくレイアウト分割手法のポリゴン集合クラスタリングによる高速化
半田昌平佐藤真平高橋篤司東工大VLD2016-111
 [more] VLD2016-111
pp.55-60
VLD 2017-03-02
11:20
沖縄 沖縄県青年会館 LELEダブルパターニングにおけるFMアルゴリズムを用いた効率的なパターン局所修正手法
尾頭 篤佐藤真平高橋篤司東工大VLD2016-113
現在の半導体設計では,高品質で短時間の設計が求められている.
近年の最先端のリソグラフィ技術では,デザインルールに従う... [more]
VLD2016-113
pp.67-72
VLD 2017-03-02
11:45
沖縄 沖縄県青年会館 単層プリント基板における目標等長配線を実現するための部分配線修正手法
杉原 舜佐藤真平高橋篤司東工大VLD2016-114
プリント基板における各ネットの配線は遅延やノイズなどの要求を満たすため、
それぞれ目標とする配線長を達成する必要がある... [more]
VLD2016-114
pp.73-78
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-01-25
09:25
神奈川 慶大日吉キャンパス 典型的な回路を用いた近似演算における入力系列の演算精度への影響の調査
佐藤真平右近祐太高橋篤司東工大VLD2016-95 CPSY2016-131 RECONF2016-76
集積回路において,可変レイテンシを仮定すると回路はタイミングエラーが発生する可能性のあるクロッ
ク周期で動作させること... [more]
VLD2016-95 CPSY2016-131 RECONF2016-76
pp.165-170
MBE, NC
(併催)
2016-03-22
10:55
東京 玉川大学 皮膚電気刺激における高周波ブロックの試み
高橋 篤二見亮弘福島大MBE2015-106
バースト状の低周波(主刺激)と高周波(副刺激)の刺激波形を重ね合わせて用いる際、2組の電極を使い空間的に合成する手法と,... [more] MBE2015-106
pp.17-20
VLD 2016-03-02
10:30
沖縄 沖縄県青年会館 Self-Aligned Quadruple Patterningのための3色グリッド上の異色ネットを考慮した配線手法
本江俊幸高橋篤司東工大VLD2015-135
Self-Aligned Quadruple Patterning(SAQP)は半導体の微細化限界を超える為の有望な技術... [more] VLD2015-135
pp.137-142
VLD 2016-03-02
13:50
沖縄 沖縄県青年会館 動的タイミングエラー検出を用いた可変レイテンシ化による一般同期式回路の高性能化
中塚裕志高橋篤司東工大VLD2015-140
完全同期方式に代わる設計方式として提案された一般同期方式では,フリップフロップへのクロックの同時到達性を仮定しない.一般... [more] VLD2015-140
pp.167-172
MSS, CAS, SIP, VLD
(共催)
2015-06-17
16:20
北海道 小樽商科大学 [パネル討論]システムと信号処理サブソサイエティの役割 ~ 学会活動と就職活動 ~
高橋篤司東工大)・金子美博岐阜大)・松永裕介九大)・宝珠山 治中村祐一NECCAS2015-12 VLD2015-19 SIP2015-43 MSS2015-12
システムと信号処理サブソサイエティを構成する4研専は,平成22年から合同研究会を年1回開催している.この合同研究会の意味... [more] CAS2015-12 VLD2015-19 SIP2015-43 MSS2015-12
p.65
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2015-05-14
10:05
福岡 北九州国際会議場 折れ曲がり制約を含む配線問題のNP完全性
本江俊幸高橋篤司東工大VLD2015-3
次世代リソグラフィ技術の一つである側壁プロセスを2回用いるSAQP(Self-Aligned Quadruple Pat... [more] VLD2015-3
pp.13-18
VLD 2015-03-02
13:25
沖縄 沖縄県青年会館 側壁プロセス配線におけるカットパターン削減手法
高橋紀之井原岳志高橋篤司東工大VLD2014-154
側壁プロセスによるダブルパターニング(SADP)によって実現可能な配線パターンを,
効率よく生成するために,二色配線グ... [more]
VLD2014-154
pp.7-12
VLD 2015-03-04
13:00
沖縄 沖縄県青年会館 エラー検出回復方式を導入した乗算器の性能検証
大月郷史高橋篤司東工大VLD2014-181
現在のデジタル集積回路の主流方式では,フリップフロップ間の信号伝搬遅延の最大値が回路性能を決める.そのため最大遅延の削減... [more] VLD2014-181
pp.159-164
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2014-68 ICD2014-37
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2014-05-29
11:30
福岡 北九州国際会議場 11会議室 半正定値緩和法を用いたLELECUTトリプルパターニングのためのレイアウト分割手法
小平行秀会津大)・松井知己東工大)・横山陽子児玉親亮東芝)・高橋篤司東工大)・野嶋茂樹田中 聡東芝VLD2014-6
次世代リソグラフィ技術として,2つのマスクをパタン形成のために,3つ目のマスクを形成したパタンを削除するためのカットとし... [more] VLD2014-6
pp.27-32
VLD 2014-03-04
09:15
沖縄 沖縄県青年会館 集合対間配線に対する配線長差削減アルゴリズムの改良
山本祐作高橋篤司東工大VLD2013-142
近年の回路の高速化に伴い,
信号の伝搬遅延を高い精度で実現することが求められている.
プリント基板(PCB)の配線設... [more]
VLD2013-142
pp.49-54
VLD 2014-03-04
13:50
沖縄 沖縄県青年会館 ダブルパターニングにおけるリソグラフィECOのためのパターン局所修正法
宮辺祐太郎高橋篤司松井知己東工大)・小平行秀会津大)・横山陽子東芝VLD2013-149
最先端の半導体製造プロセスでは,デザインルールに従いパターンを生成してもリソグラフィーシミュレー
ションによってホット... [more]
VLD2013-149
pp.87-92
VLD 2014-03-04
14:15
沖縄 沖縄県青年会館 側壁ダブルパターニングのための修正2色グリッド配線法
井原岳志高橋篤司東工大)・児玉親亮東芝VLD2013-150
 [more] VLD2013-150
pp.93-98
ICD 2013-04-11
09:50
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ
角田浩司能代英之吉田親子山崎裕一高橋 厚射場義久畑田明良中林正明長永隆志青木正樹杉井寿博超低電圧デバイス技研組合ICD2013-2
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界... [more] ICD2013-2
pp.5-10
ICD 2012-12-17
13:30
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合ICD2012-90
本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景... [more] ICD2012-90
pp.17-20
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